【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关于一种主动式贝楞电路(Active Balun Circuit),且特别是有关于用于互补金属氧化物半导体(Complementary Metal OxideSemiconductor,简称为CMOS)技术中的一种具有高频率与高线性度的主动式贝楞电路。
技术介绍
主动式贝楞电路用以产生相位相差180度且强度大小相同的两个输出信号,且主动式贝楞电路主要应用于射频接收机上。传统的主动式贝楞电路理想上虽然可以产生相位相差180度且强度大小相同的两个输出信号,但事实上,若传统的主动式贝楞电路操作于高频时,则可能会无法产生相位相差180度且强度大小则相同的两个输出信号给射频接收机。因此,这种不想理想的特性将对射频接收机中的混波器所产生的波形产生严重的影响,例如镜像消除不完全或隔离度不佳等影响。请参照图1,图1是传统的主动式贝楞电路10的电路图。传统的主动式贝楞电路10包括晶体管Ml、 M2、电流源CS1、电容C1、 C2、电阻Rl、 R2、输入端INPUT1、输出端OUTPUTPl与0UTPUTN1。其中,电容CI耦接于输入端INPUTl与晶体管Ml的栅极之 ...
【技术保护点】
一种主动式贝楞电路,包括:输入端,该输入端用以接收输入信号;第一与第二输出端;第一晶体管,其漏极耦接于该第二输出端,其栅极耦接于该输入端;第二晶体管,其漏极耦接于该第一输出端,其栅极耦接于接地端;反馈电容,耦接于该第二输出端与该第二晶体管的栅极之间;以及电流源,其一端耦接于该第一与第二晶体管的源极,其另一端耦接于该接地端。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:邱盈中,
申请(专利权)人:联咏科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:71[中国|台湾]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。