【技术实现步骤摘要】
本申请属于半导体，具体涉及一种存储单元及存储器。
技术介绍
1、常见的动态随机存储器(dynamic random access memory，dram)的存储单元为一个mos(metal oxide semiconductor，金属氧化物半导体)晶体管漏极接一个电容。这种存储单元需要不断地刷新电容中的电荷以保证数据不丢失，并且在读取时需要将电容中的电荷释放，读取完成后再重新写入，功耗较大。同时由于电容的占用面积较大，尺寸微缩成为难题。
2、双晶体管无电容动态随机存储器(2transistor 0capacitor，2t0c)使用两个mos晶体管作为存储单元，其中一个晶体管的漏极连接至另一个晶体管的栅极，利用栅电容存储电荷并改变晶体管跨导存储信息。
3、现有的基于2t0c存储单元的动态随机存储器一般使用在同一平面上的两个水平沟道的薄膜晶体管(thin film transistor，tft)连接，占用面积较大，集成密度较低。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供一...
【技术保护点】
1.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元设置在衬底一侧的隔离层中，所述隔离层包括容置孔，所述存储单元包括：
2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述存储单元还包括导体层，所述导体层包括第一导体部，所述第一导体部至少部分位于所述第一栅极和所述第二沟道之间，所述第一栅极和所述第二沟道通过所述第一导体部间接连接，所述绝缘介质层环绕所述第一导体部设置。
3.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述第一导体部至少部分延伸至所述第一内孔内的所述第一栅极中。
4.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述第一导体部上表面相对...
【技术特征摘要】
1.一种存储单元，其特征在于，所述存储单元设置在衬底一侧的隔离层中，所述隔离层包括容置孔，所述存储单元包括：
2.根据权利要求1所述的存储单元，其特征在于，所述存储单元还包括导体层，所述导体层包括第一导体部，所述第一导体部至少部分位于所述第一栅极和所述第二沟道之间，所述第一栅极和所述第二沟道通过所述第一导体部间接连接，所述绝缘介质层环绕所述第一导体部设置。
3.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述第一导体部至少部分延伸至所述第一内孔内的所述第一栅极中。
4.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述第一导体部上表面相对于所述衬底的高度大于或等于所述绝缘介质层上表面相对于所述衬底的高度。
5.根据权利要求2所述的存储单元，其特征在于，所述导体层还包括第二导体部，所述第二导体部至少部分设置在所述第二内孔中，所述第二栅极位于所述第二导体部和所...
【专利技术属性】
技术研发人员：王景皓，
申请(专利权)人：深圳市昇维旭技术有限公司，
类型：新型
国别省市：
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