温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本申请属于半导体技术领域，具体涉及一种存储单元及存储器，存储单元设置在衬底一侧的隔离层中，隔离层包括容置孔，存储单元包括沟道层、绝缘介质层、栅电极层和栅介质层，沟道层包括堆叠设置且形成间隔的第一沟道和第二沟道，第一沟道位于容置孔中，第二沟道...
该专利属于深圳市昇维旭技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市昇维旭技术有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。