键合晶圆中顶层硅层的氧化方法技术

技术编号:43164790 阅读:21 留言:0更新日期:2024-11-01 19:57
本发明专利技术提供了一种键合晶圆中顶层硅层的氧化方法,包括:提供键合晶圆,键合晶圆包括衬底层、顶层硅层及绝缘埋氧层;对顶层硅层执行第一炉管氧化工艺和第二炉管氧化工艺,第一炉管氧化工艺在顶层硅层的表面形成第一氧化层,第二炉管氧化工艺在顶层硅层的表面形成第二氧化层,顶层硅层顶面的第一氧化层和第二氧化层的厚度分布相反,并且在执行第一炉管氧化工艺和第二炉管氧化工艺后均包括执行湿法刻蚀工艺,以去除第一氧化层和第二氧化层。本发明专利技术能够实现顶层硅层的减薄,并且提高顶层硅层的厚度均匀性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体,尤其涉及一种键合晶圆中顶层硅层的氧化方法


技术介绍

1、随着集成电路技术的快速发展,为了降低成本,晶圆尺寸由6英寸、8英寸逐渐发展到12英寸。然而,随着晶圆尺寸的增大,对制备的薄膜均匀性要求也随之提高,例如在6英寸和8英寸的晶圆上制备的薄膜的厚度差(薄膜均匀性)一般在零点几微米的级别,而在12英寸的晶圆上制备的薄膜的厚度差一般在纳米级,晶圆尺寸的增大会与工艺节点有关,对于大尺寸的晶圆对应的薄膜均匀性也相应提高。在12英寸的晶圆上制备高均匀性薄膜的挑战主要体现在晶圆中心到晶圆边缘的膜厚存在较大差异,主要是由于温度在晶圆上分布不均匀造成的。这一问题严重影响到soi(silicon on insulator,绝缘层上硅)晶圆的制备,对soi晶圆中的顶层硅层的减薄可采用接触减薄工艺(研磨工艺、化学抛光工艺)和非接触减薄工艺(炉管氧化工艺和湿法刻蚀工艺)。而在对soi晶圆中的顶层硅层进行非接触减薄工艺过程中,目前炉管氧化工艺采用干氧氧化和湿氧氧化混合的方式生长氧化层,其中湿氧氧化速率更快,湿氧氧化速率是干氧氧化速率的5~10倍,因此为了提高产本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种键合晶圆中顶层硅层的氧化方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的键合晶圆中顶层硅层的氧化方法,其特征在于,所述第一炉管氧化工艺和所述第二炉管氧化工艺均包括干氧氧化工艺和湿氧氧化工艺。

3.如权利要求2所述的键合晶圆中顶层硅层的氧化方法,其特征在于,所述第一炉管氧化工艺中的干氧氧化工艺形成的氧化层的厚度小于所述第一氧化层的厚度的2%。

4.如权利要求2所述的键合晶圆中顶层硅层的氧化方法,其特征在于,所述第二炉管氧化工艺中的干氧氧化工艺形成的氧化层的厚度为所述第二氧化层的厚度的5%~15%。

5.如权利要求4所述的键合晶圆中顶层...

【技术特征摘要】

1.一种键合晶圆中顶层硅层的氧化方法,其特征在于,包括:

2.如权利要求1所述的键合晶圆中顶层硅层的氧化方法,其特征在于,所述第一炉管氧化工艺和所述第二炉管氧化工艺均包括干氧氧化工艺和湿氧氧化工艺。

3.如权利要求2所述的键合晶圆中顶层硅层的氧化方法,其特征在于,所述第一炉管氧化工艺中的干氧氧化工艺形成的氧化层的厚度小于所述第一氧化层的厚度的2%。

4.如权利要求2所述的键合晶圆中顶层硅层的氧化方法,其特征在于,所述第二炉管氧化工艺中的干氧氧化工艺形成的氧化层的厚度为所述第二氧化层的厚度的5%~15%。

5.如权利要求4所述的键合晶圆中顶层硅层的氧化方法,其特征在于,所述第二炉管工艺中先执行干氧氧化工艺后执行湿氧氧化工艺。

6.如权利要求1所述的键合晶圆中顶层硅层的氧化方法,其特征在于,所述第一氧化层的厚度...

【专利技术属性】
技术研发人员:汪子文朱伟周雨浩魏星李炜
申请(专利权)人:上海新傲芯翼科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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