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本发明提供了一种键合晶圆中顶层硅层的氧化方法，包括：提供键合晶圆，键合晶圆包括衬底层、顶层硅层及绝缘埋氧层；对顶层硅层执行第一炉管氧化工艺和第二炉管氧化工艺，第一炉管氧化工艺在顶层硅层的表面形成第一氧化层，第二炉管氧化工艺在顶层硅层的表面形...
该专利属于上海新傲芯翼科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海新傲芯翼科技有限公司授权不得商用。

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