【技术实现步骤摘要】
本申请涉及单晶硅生长领域，具体而言，涉及一种坩埚测量装置和设备。
技术介绍
1、光伏行业内单晶硅的生产一般采用直拉法生产单晶硅，在单晶生长过程中，利用提拉机构和籽晶夹头将籽晶浸入石英坩埚内的硅熔体中，并利用提拉机构将籽晶向上缓慢提拉，通过这种方式在籽晶的下方生长出一定直径的单晶硅棒。该过程的工作温度超过1400℃，为了能持续的在高温环境下工作，以保证形成硅棒的拉晶工艺的顺利进行，采用复合结构的碳碳坩埚或石墨坩埚作为导热载体，并将装满硅料的石英坩埚放置于碳碳坩埚或石墨坩埚内部来对硅材料进行加热熔化。因此在投料过程中二者的尺寸匹配问题十分关键。石英坩埚尺寸过大装不进去或出现卡顿，导致石英坩埚破裂；石英坩埚尺寸过小装进去出现两者之间缝隙过大，导致熔料过程中石英坩埚变形严重。
2、因此，如何提高石英坩埚与导热载体的匹配度成为亟待解决的问题。
技术实现思路
1、本申请的目的在于提供坩埚测量装置和设备，能够测量坩埚的外径，以提高坩埚与导热载体的匹配度，从而延长坩埚的使用寿命。
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【技术保护点】
1.一种坩埚测量装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的坩埚测量装置，其特征在于，所述第一抵接部设有第一端面，所述第一端面适于抵接所述坩埚外壁，所述第一测量部设有第二端面，所述第二端面与所述第一端面位于同一平面上。
3.如权利要求2所述的坩埚测量装置，其特征在于，所述第二抵接部设有第三端面，所述第三端面适于抵接所述坩埚外壁，且所述第三端面与所述第一端面相对设置，所述第二测量部设有第四端面，所述第四端面与所述第三端面位于同一平面上，且所述第四端面与所述第二端面相对设置。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的坩埚测量装置，其特征...
【技术特征摘要】
1.一种坩埚测量装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的坩埚测量装置，其特征在于，所述第一抵接部设有第一端面，所述第一端面适于抵接所述坩埚外壁，所述第一测量部设有第二端面，所述第二端面与所述第一端面位于同一平面上。
3.如权利要求2所述的坩埚测量装置，其特征在于，所述第二抵接部设有第三端面，所述第三端面适于抵接所述坩埚外壁，且所述第三端面与所述第一端面相对设置，所述第二测量部设有第四端面，所述第四端面与所述第三端面位于同一平面上，且所述第四端面与所述第二端面相对设置。
4.如权利要求1至3中任意一项所述的坩埚测量装置，其特征在于，所述坩埚测量位设置于所述第一抵接部和所述第一测量部之间，且所述坩埚测量位还设置于所述第二抵接部和所述第二测量部之间，当所述第一测量件和所述第二测量件朝向所述坩埚测量位滑动到位时，所述坩埚测量位不仅隔开所述第一抵接部和所述第一测量部，还隔开所述第二抵接部和所述第二测量部。
5.如权利要求1至3中任意一项所述的坩埚测量装置，其特征在于，所述第一...
【专利技术属性】
技术研发人员：邹凯，莫磊，李殿喜，康斌，张国宏，张德林，
申请(专利权)人：甘肃瓜州宝丰硅材料开发有限公司，
类型：新型
国别省市：
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