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本申请提供一种坩埚测量装置和设备，涉及单晶硅生长领域；其中，该坩埚测量装置包括机架、第一测量件和第二测量件；机架设有坩埚测量位，坩埚测量位内具有垂直于坩埚测量位的测量中心轴线；第一测量件滑动地设置于坩埚测量位的一侧，且第一测量件设有第一抵接...
该专利属于甘肃瓜州宝丰硅材料开发有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过甘肃瓜州宝丰硅材料开发有限公司授权不得商用。

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