【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工设备，具体而言，涉及一种晶圆增粘单元及其排气方法。
技术介绍
1、在半导体工艺中，晶圆在进行涂胶前需要进行增粘处理，即通过喷涂hmds，即六甲基二硅氮烷溶液，将晶圆表面从亲水性变为疏水性，提升光刻胶在晶圆表面的附着力。随着半导体技术的发展，半导体设备的集成度越来越高，内部空间更为紧凑。现有的hmds喷洒机构大多直接将hmds溶液喷洒于晶圆中心，容易造成hmds喷洒不均的现象影响增粘效果，且常规的排气方式工艺工时较长，影响后续工艺。
技术实现思路
1、本专利技术解决的是晶圆增粘工艺排气时效率较低的问题。
2、为解决上述问题，本专利技术提供一种晶圆增粘单元，包括上盘盖、进气件、下盘盖和盖板。进气件与上盘盖连接，进气件内设有第一排气道和第二排气道；下盘盖设于上盘盖远离进气件的一侧，下盘盖上设有回流孔；盖板设于上盘盖靠近进气件的一侧，盖板与进气件嵌套配合，所述盖板与所述下盘盖连接；其中第二排气道环绕进气件轴心设置。
3、相较于现有技术，本技术方案所达...
【技术保护点】
1.一种晶圆增粘单元，其特征在于，包括：上盘盖；进气件，与所述上盘盖连接，所述进气件内设有第一排气道和第二排气道；下盘盖，设于所述上盘盖远离所述进气件的一侧；盖板，所述盖板设于所述上盘盖靠近所述进气件的一侧，所述盖板与所述进气件嵌套配合，所述盖板与所述下盘盖连接；其中所述第二排气道环绕所述进气件轴心设置。
2.根据权利要求1所述的晶圆增粘单元，其特征在于，所述下盘盖设有回流孔；所述下盘盖和所述上盘盖之间存在回流间隙；所述回流孔和所述回流间隙连通。
3.根据权利要求2所述的晶圆增粘单元，其特征在于，所述进气件包括：上进气盖和下进气盖；所述上进气盖...
【技术特征摘要】
1.一种晶圆增粘单元，其特征在于，包括：上盘盖；进气件，与所述上盘盖连接，所述进气件内设有第一排气道和第二排气道；下盘盖，设于所述上盘盖远离所述进气件的一侧；盖板，所述盖板设于所述上盘盖靠近所述进气件的一侧，所述盖板与所述进气件嵌套配合，所述盖板与所述下盘盖连接；其中所述第二排气道环绕所述进气件轴心设置。
2.根据权利要求1所述的晶圆增粘单元，其特征在于，所述下盘盖设有回流孔；所述下盘盖和所述上盘盖之间存在回流间隙；所述回流孔和所述回流间隙连通。
3.根据权利要求2所述的晶圆增粘单元，其特征在于，所述进气件包括：上进气盖和下进气盖；所述上进气盖设有第二排气孔，所述第二排气孔与所述第二排气道连通；所述第二排气道设于所述上进气盖上，所述第二排气道与所述回流间隙连通。
4.根据权利要求3所述的晶圆增粘单元，其特征在于，所述第二排气道与所述回流间隙连通处为开放环状结构；所述第二排气道至少部分未被所述下进气盖遮盖。
5.根据权利要求4所述的晶圆增粘单元，其特征在于，所述第一排气道设于所述下进气盖上；所述上进气盖设有第一排气孔，所述第一排气孔与所述第一排气道连通；所述第一排气孔与所述第...
【专利技术属性】
技术研发人员：李朋，郝斌荣，袁宁丰，
申请(专利权)人：宁波润华全芯微电子设备有限公司，
类型：发明
国别省市：
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