【技术实现步骤摘要】
本申请涉及显示，尤其涉及一种阵列基板和显示面板。
技术介绍
1、在显示
，薄膜晶体管(thin film transistor，tft)阵列基板是显示面板的重要组成部分，而薄膜晶体管阵列基板的制造牵涉到多道光掩膜(photo mask)的使用。使用光掩膜的数量越多，薄膜晶体管阵列基板的整体工艺流程越长，难度越大，成本越高。为了减少光掩模的使用数量，可将薄膜晶体管的源极设置在半导体层的下方，并使半导体层与下方的源极搭接。然而，在半导体层与源极搭接的位置容易出现搭接不良。
技术实现思路
1、本申请提供一种阵列基板和显示面板，以缓解半导体层与源极搭接不良的技术问题。
2、为解决上述问题，本申请提供的技术方案如下：
3、本申请实施例提供一种阵列基板，所述阵列基板包括：
4、衬底；
5、第一导电层，设置于所述衬底的一侧，所述第一导电层包括间隔设置的源极、遮光电极；
6、第一绝缘层，设置于所述第一导电层远离所述衬底的一侧，所述第一绝缘层...
【技术保护点】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一辅助电极设置于所述第二过孔以及所述第一过孔内，并与所述源极接触部连接；所述第三导电层还包括像素电极。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一辅助电极设置于所述第二过孔以及所述第一过孔内，并与所述源极接触部连接；所述第三导电层还包括公共电极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔的内径尺寸大于所述第三过孔的内径尺寸，...
【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一辅助电极设置于所述第二过孔以及所述第一过孔内，并与所述源极接触部连接；所述第三导电层还包括像素电极。
3.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一辅助电极设置于所述第二过孔以及所述第一过孔内，并与所述源极接触部连接；所述第三导电层还包括公共电极。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
5.根据权利要求4所述的阵列基板，其特征在于，所述第二过孔的内径尺寸大于所述第三过孔的内径尺寸，所述第三过孔的内径尺寸大于所述第一过孔的内径尺寸。
6.根据权利要求2或4中任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括：
7.根据权利要求6所述的阵列基板，其特征在于，所述第一导电层还包括第一桥接电极，所述第一绝缘层还包括对应所述第一桥接电极设置的第五过孔和第六过孔；
...【专利技术属性】
技术研发人员：黎美楠，请求不公布姓名，胡道兵，林延锐，
申请(专利权)人：广州华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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