一种三（二甲胺基）硅烷的制备方法技术

本发明专利技术涉及一种三(二甲胺基)硅烷的制备方法，包括以下步骤：S1、在惰性气体氛围下，将三氯硅烷与烷烃类溶剂加入反应器，形成混合液，并降温至0℃以下，于混合液中通入二甲胺，通气完成后，置于室温环境，反应4‑8h；S2、反应完成后，再次将混合液降温至0℃以下，向反应混合液中加入二烷基胺，用以捕获反应生成的氯化氢，二烷基胺加入完成后，置于室温环境，反应8‑12h；S3、将反应得到的混合物进行减压过滤，得到三(二甲胺基)硅烷，三(二甲胺基)硅烷的收率大于70％。本发明专利技术无需使用在空气中自燃、操作危险系数高的有机金属化合物，提高了生产的安全性，同时可以有效减少废液的产生，缩短了三(二甲胺基)硅烷的生产周期，有利于大规模生产。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及有机化学合成，尤其涉及一种三(二甲胺基)硅烷的制备方法。

技术介绍

1、随着超大规模集成电路中基础器件的mos晶体管的不断迭代，sio2的漏电流问题日益限制器件性能重要因素，伴随着栅介质厚度的减少，sio2的绝缘性能逐渐弱化。因而高介电常数材料(即高k材料)的研究逐渐成为集成电路器件研究的重点。高k材料的使用可以在保持相同电容密度的前提下，保留栅介质的较大的物理厚度，从而避免超薄sio2栅介质中隧穿导致的漏电流问题。

2、近年来，发展多种硅的前驱体来改善sio2的ald工艺工程是主流的研究方向，这些硅前驱体多包涵新的配体或多个配体的组合，通过对配体大小、空间位阻以及键能的调控，可以调节硅前驱体的反应性、稳定性及蒸汽压等特性，适应于不同的生产工艺要求。在这其中三(二甲胺基)硅烷因其具有较好的稳定性、较高的蒸汽压和良好的反应性成为了目前原子层法沉积sio2研究的热点。

3、现有的三(二甲胺基)硅烷的合成方法主要有两种：1、低温条件下，有机锂试剂通过拔除二甲胺活泼氢预制二甲胺锂，继而对三氯硅烷进行取代反应制备。2、二甲胺与三本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种三(二甲胺基)硅烷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种三(二甲胺基)硅烷的制备方法，其特征在于，步骤S1所述的惰性气体氛围为氩气或氦气。

3.根据权利要求1所述的一种三(二甲胺基)硅烷的制备方法，其特征在于，步骤S1所述的烷烃类溶剂为正己烷、正庚烷、甲苯中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种三(二甲胺基)硅烷的制备方法，其特征在于，步骤S1所述的三氯硅烷的浓度为1-5mol/L。

5.根据权利要求1所述的一种三(二甲胺基)硅烷的制备方法，其特征在于，在步骤S1中，三氯硅烷和二甲胺加入量的摩尔比...

【技术特征摘要】

1.一种三(二甲胺基)硅烷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种三(二甲胺基)硅烷的制备方法，其特征在于，步骤s1所述的惰性气体氛围为氩气或氦气。

3.根据权利要求1所述的一种三(二甲胺基)硅烷的制备方法，其特征在于，步骤s1所述的烷烃类溶剂为正己烷、正庚烷、甲苯中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的一种三(二甲胺基)硅烷的制备方法，其特征在于，步骤s1所述的三氯硅烷的浓度为1-5mol/l。

5.根据权利要求1所述的一种三(二甲胺基)硅烷的制备方法，其特征在于，在步骤s1中，三氯硅烷和二甲胺加入量的摩尔比为1：3.3-4.5。

6.根据权利要求1所述的一种三(二甲胺基)...

【专利技术属性】
技术研发人员：王佳佳，侯美蓉，王星帅，倪珊珊，崔崇，李曼华，李茹霞，李翔宇，
申请(专利权)人：中船邯郸派瑞特种气体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：