【技术实现步骤摘要】
本公开涉及用于加工晶体材料的方法，并且更具体地涉及用于从其中具有表面下的激光损伤区域的衬底(诸如，晶锭(boule)或晶圆)分离或去除晶体材料的相对薄层的载体辅助方法。
技术介绍
1、各种微电子、光电和微制造应用需要晶体材料的薄层作为用于制造各种有用系统的起始结构。用于从晶体材料的大直径晶体锭切割薄层(例如，晶圆)的传统方法涉及使用线锯。线锯技术已经应用于各种晶体材料，诸如硅、蓝宝石和碳化硅。线锯工具包括通过一个或多个导辊的凹槽的超细钢丝(通常具有0.2mm或更小的直径)。存在两种切片方法，即松散磨料切片和固定磨料切片。松散磨料切片涉及向高速运行的钢丝施加浆料(通常是油中的磨料悬浮液)，由此钢丝与工件之间的磨料的滚动运动导致锭的切割。不幸的是，浆料的环境影响是相当大的。为了减少这种影响，可以在仅需要水溶性冷却液(不是浆料)的固定磨料切片方法中使用用金刚石磨料固定的线。高效率的平行切片允许在单个切片过程中产生大量的晶圆。图1示出了传统的线锯工具1，其包括在辊4a-4c之间延伸并且布置成将锭2同时锯成多个薄段(例如，晶圆8a-8g)的平行线...
【技术保护点】
1.一种半导体加工方法，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体加工方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体加工方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体加工方法，其中沿着所述损伤区域或接近于所述损伤区域使所述衬底断裂包括：
5.根据权利要求4所述的半导体加工方法，其中所述方法包括：
6.根据权利要求1所述的半导体加工方法，其中所述损伤区域是激光损伤区域。
7.根据权利要求1所述的半导体加工方法，其中在将粘合材料临时提供在所述半导体晶片上之前，所述方法包括在所述一个或多个外延层上形成一个或
【技术特征摘要】
1.一种半导体加工方法，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体加工方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的半导体加工方法，还包括：
4.根据权利要求1所述的半导体加工方法，其中沿着所述损伤区域或接近于所述损伤区域使所述衬底断裂包括：
5.根据权利要求4所述的半导体加工方法，其中所述方法包括：
6.根据权利要求1所述的半导体加工方法，其中所述损伤区域是激光损伤区域。
7.根据权利要求1所述的半导体加工方法，其中在将粘合材料临时提供在所述半导体晶片上之前，所述方法包括在所述一个或多个外延层上形成一个或多个导电触点。
8.根据权利要求1所述的半导体加工方法，其中所述方法包括：
9.根据权利要求8所述的半导体加工方法，其中所述方法包括：
10.根据权利要求1所述的半导体加工方法，其中所述衬底包括碳化硅。
11.根据权利要求1所述的半导体加工方法，其中所述粘合材料包括热塑性材料。
12.根据权利要求1所述的半导体加工方...
【专利技术属性】
技术研发人员：马修·多诺弗里奥，约翰·埃德蒙，华双·康，叶利夫·巴尔卡斯，
申请(专利权)人：沃孚半导体公司，
类型：发明
国别省市：
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