【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体，具体涉及一种隧穿氧化层和多晶硅层的制备方法及反应炉。
技术介绍
1、目前，对于bc类电池的p发射级的掺杂层，即多晶硅层的制作通常采用低压化学气相沉积(low pressure chemical vapor deposition，lpcvd)方法，在硅基底的表面先沉积一层隧穿氧化层，再在隧穿氧化层的表面沉积一层多晶硅层。
2、但是，相关技术在制备多晶硅层时通常采用向沉积设备内通入氧气，在600℃的高温下制备隧穿氧化层，且隧穿氧化层的制备时间通常需要3000s以上，导致隧穿氧化层的制备时间长、制备温度高。
技术实现思路
1、有鉴于此，本公开实施例提供了一种隧穿氧化层和多晶硅层的制备方法及反应炉，解决了相关技术中隧穿氧化层的制备时间长、制备温度高的问题。
2、第一方面，本公开的实施例提供了一种隧穿氧化层的制备方法，应用于反应炉，所述反应炉具有反应腔；其中，所述隧穿氧化层的制备方法包括：在所述反应腔内放置硅基底的情况下，将所述反应腔加热至第一温度范围；向所...
【技术保护点】
1.一种隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，应用于反应炉，所述反应炉具有反应腔；其中，所述隧穿氧化层的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述向所述反应腔内通入氧气和臭氧形成的混合气体，包括：
4.根据权利要求3所述的隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，在所述向所述反应腔内通入氧气和臭氧形成的混合气体的过程中以及在所述向所述反应腔内通入氧气和臭氧形成的混合气体之后，还包括：
5.根据权利要求4所述的隧穿氧化层的制备方法，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，应用于反应炉，所述反应炉具有反应腔；其中，所述隧穿氧化层的制备方法包括：
2.根据权利要求1所述的隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，
3.根据权利要求2所述的隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述向所述反应腔内通入氧气和臭氧形成的混合气体，包括：
4.根据权利要求3所述的隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，在所述向所述反应腔内通入氧气和臭氧形成的混合气体的过程中以及在所述向所述反应腔内通入氧气和臭氧形成的混合气体之后，还包括：
5.根据权利要求4所述的隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，所述将所述反应腔加热至第一温度范围，包括：
6.根据权利要求5所述的隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，
7.根据权利要求5所述的隧穿氧化层的制备方法，其特征在于，
8.一种多晶硅层的制备方法，其特征在于，应用于反应炉，所述反应炉具有反应腔；其中，所述多晶硅层的制备方法包括：
9.根据权利要求8所述的多晶硅层的制备方法，其特征在于，在所述向所述反应腔内通入硅烷气体之前，还包括：
10.根据权利要求9所述的多晶硅层的制备方法，其特征在于，所述向所述反应腔内通入硅烷气体，包括：
11.根据权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：毛文龙，熊贤明，范伟，梁笑，
申请(专利权)人：拉普拉斯新能源科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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