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本公开涉及半导体技术领域，具体涉及一种隧穿氧化层和多晶硅层的制备方法及反应炉，解决了相关技术中隧穿氧化层的制备时间长、制备温度高的问题。本公开提供的隧穿氧化层的制备方法包括反应炉利用臭氧和氧气在第一温度范围内制备隧穿氧化层。由于臭氧的氧化性...
该专利属于拉普拉斯新能源科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过拉普拉斯新能源科技股份有限公司授权不得商用。

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