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本发明涉及用于沿激光损伤区域分离晶体材料的载体辅助方法。具体地，本发明涉及用于去除晶体材料(例如SiC)衬底的一部分的方法，包括将衬底的表面接合到刚性载体(例如>800μm厚度)，其中在相对于表面的深度处在衬底内提供表面下的激光损伤区...
该专利属于沃孚半导体公司所有，仅供学习研究参考，未经过沃孚半导体公司授权不得商用。

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