热流传感器、绝缘薄膜及其制备方法技术

本发明专利技术属于薄膜制备技术领域，涉及一种热流传感器、绝缘薄膜及其制备方法，该制备方法基于电子束蒸镀系统，包括以下步骤：设定电子束蒸镀系统的镀膜程序，具体包括对沉积腔室温度、镀膜起始真空度、蒸镀时电子束功率、镀率以及工艺气流量的参数设定；所述沉积腔室温度设为100～300℃，镀膜起始真空度不低于3.0*e‑5Torr，蒸镀时电子束功率设为9kW，镀膜功率输出范围控制在5％～30％，镀率设置为工艺气流量设置为10sccm～100sccm，工艺气为氧气、氨气或氮气中的一种多种组合；将需要沉积的基片粘贴固定在沉积腔室内穹顶镀锅上，添加蒸镀源材料，关闭腔沉积腔室，启动镀膜程序；镀膜结束后，待沉积腔室冷却后将沉积了绝缘薄膜的基片取出，并置于高温炉内进行退火处理。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于薄膜制备，涉及一种绝缘薄膜及其制备方法和应用其制备的绝缘薄膜的热流传感器。

技术介绍

1、绝缘材料一般是具有很大电阻率的电介质，通常电阻率在1010～1022ω·m范围内，但会由于温度的变化，材料的电阻、机械性能、结构强度等性能产生变化。为了保证设计传感器绝缘薄膜层的耐温和绝缘性能，就必须要求制备绝缘薄膜层能够满足应用传感器的耐候要求，因此一些特殊用途的耐高温绝缘材料逐渐得到广泛关注。

2、al2o3薄膜的制备方法主要分为化学气相沉积(cvd)和物理气相沉积(pvd)。cvd是将前驱气体(通常是稀释的载体气体)室温送入反应室，使之通过或者到达加热基片，与靶材反应或分解，所形成的固体相沉积到基片上。沉积温度决定al2o3薄膜的结晶相，在897℃以下生长的薄膜通常是γ-al2o3或者非晶，而在1197℃左右生长的薄膜是α-al2o3。pvd分为电子束蒸发(e-beam evaporation)、等离子喷涂(plasma spraying)、气爆法(gasdetonation)、溶胶-凝胶法(solgel process)、激光消融(l本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种绝缘薄膜的制备方法，该制备方法基于电子束蒸镀系统，其特征在于，具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的绝缘薄膜的制备方法，其特征在于：设置电子束输出功率为20％，设置镀膜起始真空度为3*e-5Torr，设置沉积腔室温度为150℃，设置镀率为设置工艺气为氧气，且氧流量为50sccm。

3.根据权利要求1所述的绝缘薄膜的制备方法，其特征在于：所述蒸镀源材料为氧化铝、氮化铝、氮化硅或碳化硅中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的绝缘薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤3中进行退火处理时，退火温度为300～1000℃。

<p>5.根据权利要求...

【技术特征摘要】

1.一种绝缘薄膜的制备方法，该制备方法基于电子束蒸镀系统，其特征在于，具体包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的绝缘薄膜的制备方法，其特征在于：设置电子束输出功率为20％，设置镀膜起始真空度为3*e-5torr，设置沉积腔室温度为150℃，设置镀率为设置工艺气为氧气，且氧流量为50sccm。

3.根据权利要求1所述的绝缘薄膜的制备方法，其特征在于：所述蒸镀源材料为氧化铝、氮化铝、氮化硅或碳化硅中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的绝缘薄膜的制备方法，其特征在于：在步骤3中进行退火处理时，退火温度为300～1000℃。

5.根据权利要求1所述的绝缘薄膜的制备方法，其...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨玉，段青松，漆锐，谭庆，邓惠丹，李秀玲，张建波，陈南菲，
申请(专利权)人：中冶赛迪工程技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：