一种芯片化学机械抛光后清洗组合物、其制备方法及用途技术

本发明专利技术涉及一种芯片化学机械抛光后清洗组合物、其制备方法及用途。所述清洗组合物按照重量份计算，包括如下组分：有机碱1‑5份；功能剂1‑10份；添加剂5‑15份；缓蚀剂0.1‑1份；超纯水70‑90份。本发明专利技术采用的功能剂既可防止Cu<supgt;2+</supgt;的再沉积，又可阻止Cu<supgt;2+</supgt;与BTA<supgt;‑</supgt;的再结合，进而使Cu‑BTA被完全去除。本发明专利技术添加剂不受酸、碱和电解质的影响，并具有较强的渗透力，可渗入Cu‑BTA残留物和Cu表面的间隙中，可将Cu‑BTA托起，有机碱可将Cu‑BTA中的Cu<supgt;2+</supgt;电离出来，功能剂将Cu<supgt;2+</supgt;螯合。本发明专利技术的清洗组合物环保、且挥发损耗小，在清洗完毕后，仅用纯水冲洗即可，对环境和人体无伤害。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体制造工艺领域，尤其涉及一种芯片化学机械抛光后清洗组合物、其制备方法及用途。

技术介绍

1、电子信息产业快速发展，特别是半导体产业作为电子信息产业的基础与核心，是信息社会快速发展的重要支撑，更是反映国家综合实力的标志之一。在微半导体时代，半导体器件持续微缩化，集成电路(ic)按摩尔定律推进，线宽不断减小，半导体制造业面临空前未有的机遇和挑战。

2、为了满足半导体器件的性能指标，半导体材料和制造工艺不断推陈出新。互连线宽的减小导致电流传输密度增大，引起金属互连线的可靠性问题。金属铜(cu)相对于传统互连材料铝(al)具有更优越的导电能力和抗电迁移特性，可以改善电阻电容延迟(rc延迟)问题，且符合低功耗、低串扰、大功率、高集成度、使用寿命长的要求，是目前深亚微米集成电路金属互连材料的首要选择。

3、化学机械抛光(cmp)及后清洗是集成电路制程中极为重要的工艺程序。cmp是可以高效去除大马士革工艺中表面多余cu的平坦化技术，结合化学抛光和机械抛光的特征可以实现更高的抛光速率，并减少晶圆表面的缺陷改善表面质量。cmp过程中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片化学机械抛光后清洗组合物，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分：

2.根据权利要求1所述的芯片化学机械抛光后清洗组合物，其特征在于：所述的DOTA衍生物为马来酰亚胺-DOTA、DOTA-P-苯-氨基-四叔丁酯、DOTA-三聚乙二醇叠氮、DOTA-(酪氨酸3)-奥曲肽中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的芯片化学机械抛光后清洗组合物，其特征在于：所述的有机碱为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、三甲基(羟乙基)氢氧化铵、乙基三甲基氢氧化铵、二乙基二甲基氢氧化铵、三乙基(羟乙基)氢氧化铵、三丙基甲基氢氧化铵、三丁基甲基氢...

【技术特征摘要】

1.一种芯片化学机械抛光后清洗组合物，其特征在于，按照重量份计算，包括如下组分：

2.根据权利要求1所述的芯片化学机械抛光后清洗组合物，其特征在于：所述的dota衍生物为马来酰亚胺-dota、dota-p-苯-氨基-四叔丁酯、dota-三聚乙二醇叠氮、dota-(酪氨酸3)-奥曲肽中的一种或多种。

3.根据权利要求1所述的芯片化学机械抛光后清洗组合物，其特征在于：所述的有机碱为四甲基氢氧化铵、四乙基氢氧化铵、四丙基氢氧化铵、四丁基氢氧化铵、三甲基(羟乙基)氢氧化铵、乙基三甲基氢氧化铵、二乙基二甲基氢氧化铵、三乙基(羟乙基)氢氧化铵、三丙基甲基氢氧化铵、三丁基甲基氢氧化铵、苄基三甲基氢氧化铵、三羟基乙基甲基氢氧化铵中的一种或多种。

4.根据权利要求1所述的芯片化学机械抛光后清洗组合物，其特征在于：所述的添加剂为松香胺聚氧乙烯醚、松香醇聚氧乙烯醚、松香聚乙二醇柠檬酸酯、松香醇醚中的一种或多种。

【专利技术属性】
技术研发人员：侯军，吕晶，任浩楠，王欣欣，
申请(专利权)人：浙江奥首材料科技有限公司，
类型：发明
国别省市：

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