一种高单模抑制比的VCSEL结构制造技术

本技术提供了一种高单模抑制比的VCSEL结构，属于激光器技术领域，在N型衬底上进行N型布拉格反射镜、谐振腔、有源区、P型布拉格反射镜的生长，完成外延生长后，分别进行P金属沉积、RIE刻蚀、湿法氧化和PECVD介质层沉积，用光刻胶保护发光区域和部分金属接触区域后，对器件进行离子注入，通过光刻定义模式过滤图层后，利用RIE在表面介质层上刻蚀出模式过滤层，完成接触金属的开孔，并进行电镀，形成镀金层，背面减薄N型衬底并镀上N金属，采用以上方法后，本技术具有如下优点：本技术所制作的VCSEL相较于传统VCSEL而言，在光功率达到正常器件功率的范围内，提供单模抑制比约50dB的激光输出，该方案具有稳定的可量产性。

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及激光器，具体是指一种高单模抑制比的vcsel结构。

技术介绍

1、vcsel(vertical-cavitysurface-emittinglaser)，为垂直腔面发射激光器的英文缩写，这是一种基于半导体激光二极管，不同于传统的顶部和侧面发射光的led及边缘发射激光器，vcsel能够从其表面垂直发射更为高效的光束。自1977年日本东京工业大学的伊贺健一(kenichiiga)等人提出了相关概念，至今已发展四十余年。由于它具有阈值低、远场发散角小、调制速率高、易实现单纵模工作和易于二维集成等突出优点，经过多年发展，vcsel已经在宽带以太网、高速数据通信、光互联、三维传感、光集成元件等领域中得到了大量的应用。

2、比起其它类的半导体激光器，如gaas基边发射激光器，由于vcsel的激光器腔较短，横截面较大，使得长期以来将vcsel作为多模激光器进行使用。

3、然而，具有高的单模抑制比(single-modesuppressionratio)的激光器在一些特殊领域具有需求，譬如传感领域中可以提供更好的信噪比，在远距离数据传输中本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种高单模抑制比的VCSEL结构，其特征在于：包括N型衬底(1)，在所述N型衬底(1)上设有N型布拉格反射镜(2)、谐振腔(3)、有源区(4)、氧化层(6)、P型布拉格反射镜(5)、氮化硅(7)、P接触金属(8)和模式过滤层(10)，所述的有源区(4)用于产生激光，对器件进行离子注入，形成离子注入区域(9)，所述的N型衬底(1)远离N型布拉格反射镜(2)的一端设有N金属(12)。

2.根据权利要求1所述一种高单模抑制比的VCSEL结构，其特征在于：所述N型布拉格反射镜(2)为多组设置。

3.根据权利要求1所述一种高单模抑制比的VCSEL结构，其特征在于：所述P...

【技术特征摘要】

1.一种高单模抑制比的vcsel结构，其特征在于：包括n型衬底(1)，在所述n型衬底(1)上设有n型布拉格反射镜(2)、谐振腔(3)、有源区(4)、氧化层(6)、p型布拉格反射镜(5)、氮化硅(7)、p接触金属(8)和模式过滤层(10)，所述的有源区(4)用于产生激光，对器件进行离子注入，形成离子注入区域(9)，所述的n型衬底(1)远离n型布拉格反射镜(2)的一端设有n金属(...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨旭，
申请(专利权)人：徐州仟目科技集团有限公司，
类型：新型
国别省市：