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本技术提供了一种高单模抑制比的VCSEL结构，属于激光器技术领域，在N型衬底上进行N型布拉格反射镜、谐振腔、有源区、P型布拉格反射镜的生长，完成外延生长后，分别进行P金属沉积、RIE刻蚀、湿法氧化和PECVD介质层沉积，用光刻胶保护发光区域...
该专利属于徐州仟目科技集团有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过徐州仟目科技集团有限公司授权不得商用。

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