【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体结构及其制造方法，且特别是涉及一种包括多个金属球的堆叠的导电结构的半导体结构及其制造方法。
技术介绍
1、随着电子产品的需求趋向于高功能、高速信号传输、高密度的电子元件发展，封装技术也渐以多芯片模块封装为主流。如何以较为经济的方式生产3d堆叠式的封装已成为业界的目标之一。
技术实现思路
1、本专利技术有关于一种半导体结构及其制造方法，包含多个金属球的堆叠的导电结构作为多芯片堆叠的i/o通路，有效降低制作工艺的复杂度并节省成本。
2、根据本专利技术的一方面，提出一种半导体结构。半导体结构包括第一芯片、第二芯片及导电结构。第一芯片具有相对配置的主动(有源)面及相对面。第二芯片包括芯片接合部及外接垫，外接垫位于芯片接合部之外。第一芯片是以主动面配置于第二芯片的芯片接合部上。导电结构设置于外接垫，导电结构包括多个金属球的堆叠，此堆叠自外接垫延伸超过第一芯片的相对面。
3、根据本专利技术的另一方面，提出一种半导体结构的制造方法。此方法包括以下步骤。首先...
【技术保护点】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该些金属球通过打线接合形成。
3.如权利要求1所述的半导体结构，还包括绝缘结构，覆盖于该第一芯片，其中该绝缘结构具有穿孔，该些金属球的该堆叠位于该穿孔中。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该些金属球的该堆叠突出于该绝缘结构。
5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括载板，该载板具有相对配置的第一侧及第二侧，其中该导电结构连接于该载板的该第一侧。
6.如权利要求5所述的半导体结构，还包括底胶层，位于该第一芯片、该第二芯片及该载板之间，并至少
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该些金属球通过打线接合形成。
3.如权利要求1所述的半导体结构，还包括绝缘结构，覆盖于该第一芯片，其中该绝缘结构具有穿孔，该些金属球的该堆叠位于该穿孔中。
4.如权利要求3所述的半导体结构，其中该些金属球的该堆叠突出于该绝缘结构。
5.如权利要求1所述的半导体结构，还包括载板，该载板具有相对配置的第一侧及第二侧，其中该导电结构连接于该载板的该第一侧。
6.如权利要求5所述的半导体结构，还包括底胶层，位于该第一芯片、该第二芯片及该载板之间，并至少包围该导电结构。
7.如权利要求5所述的半导体结构，还包括多个导电端子，设置于该载板的该第二侧。
8.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第二芯片的尺寸大于该第一芯片。
9.如权利要求1所述的半导体结构，该外接垫与该芯片接合部一起形成。
10.一种半导体结构的制造方法，包括：
11.如权利要求10所述的半导体结构的制造方法，其中该些金属球通过打线接合形成。
12.如权利...
【专利技术属性】
技术研发人员：许兴仁，何凯光，林裕杰，陈国明，徐一峰，
申请(专利权)人：联华电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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