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在芯片目标电极上形成复合金纳米结构的制备方法及芯片技术

技术编号:43071062 阅读:20 留言:0更新日期:2024-10-22 14:46
本发明专利技术提供一种在芯片目标电极上形成复合金纳米结构的制备方法及芯片。包括:ZnO纳米阵列结构制备过程和复合金纳米结构制备过程:ZnO纳米阵列结构制备过程,包括:在第一溶液环境下,通过第一电场控制方法在芯片的目标电极上制备ZnO纳米阵列结构;复合金纳米结构制备过程,包括:在ZnO纳米阵列结构上进行镀金,形成复合金纳米结构,复合金纳米结构包括依次层叠设置的第1层金纳米结构至第N层金纳米结构,N为大于等于2的正整数;制备第1层金纳米结构至第N层金纳米结构时,在镀金溶液环境下采用镀金电场控制方法进行镀金。能够在目标电极表面形成多尺度的复合金纳米结构,极大地增加了电极表面的有效面积,并形成纳米功能结构。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微芯片制造工艺,尤其涉及一种在芯片目标电极上形成复合金纳米结构的制备方法及芯片


技术介绍

1、金纳米粒子由于其独特的高表面积、生物相容性和等离子等特性,在各个领域都有着广泛的应用需求。在生物医学工程领域,金纳米粒子被应用于高灵敏度生物分子检测、肿瘤光热治疗、表面增强拉曼光谱检测以及成像等方面。在化学领域,其一方面常被用作化学反应中的催化剂,加速反应过程;另一方面,对于电化学阻抗谱检测,通过在检测电极上修饰金纳米结构,能够显著增大电极表面积,降低双电层电容阻抗带来的影响,提高阻抗检测的灵敏度。在光学领域,金纳米颗粒制备的黑体靶面具有优异的减反射效果,进而可以应用在温度定标、电磁隐身等场景,具有重要研究价值。

2、现有技术中,利用电化学制造的方式,通过将金离子还原在电极表面形成纳米颗粒,从而在电极表面形成金纳米结构。由于其过程简单、成本低廉、以及具有控制纳米粒子尺寸和形状的能力,成为合成纳米粒子的一种有效方法。但是现有的金纳米颗粒生成方法尚存在制备纳米结构单一、可控性不佳、增大电极表面积能力不足等问题。

<p>3、鉴于此,亟需本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种在芯片目标电极上形成复合金纳米结构的制备方法,其特征在于,包括ZnO纳米阵列结构制备过程和复合金纳米结构制备过程:

2.根据权利要求1所述的在芯片目标电极上形成复合金纳米结构的制备方法,其特征在于,所述ZnO纳米阵列结构制备过程的所述第一电场控制方法,包括:

3.根据权利要求1所述的在芯片目标电极上形成复合金纳米结构的制备方法,其特征在于,所述第一电场控制方法,包括:

4.根据权利要求1所述的在芯片目标电极上形成复合金纳米结构的制备方法,其特征在于,所述镀金电场控制方法,包括:

5.根据权利要求1所述的在芯片目标电极上形成复合金纳米...

【技术特征摘要】

1.一种在芯片目标电极上形成复合金纳米结构的制备方法,其特征在于,包括zno纳米阵列结构制备过程和复合金纳米结构制备过程:

2.根据权利要求1所述的在芯片目标电极上形成复合金纳米结构的制备方法,其特征在于,所述zno纳米阵列结构制备过程的所述第一电场控制方法,包括:

3.根据权利要求1所述的在芯片目标电极上形成复合金纳米结构的制备方法,其特征在于,所述第一电场控制方法,包括:

4.根据权利要求1所述的在芯片目标电极上形成复合金纳米结构的制备方法,其特征在于,所述镀金电场控制方法,包括:

5.根据权利要求1所述的在芯片目标电极上形成复合金纳米结构的制备方法,其特征在于,所述zno纳米阵列结构制备过程,还包括:

6.根据权利要求1所述的在芯片目标电极上形成复合金纳米结构的制备方法,其特征在于,制备所述第1层金纳米结构至所述第n层金纳米结构时,分别在浓度逐渐降低的...

【专利技术属性】
技术研发人员:朱荣张晟森
申请(专利权)人:清华大学
类型:发明
国别省市:

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