一种晶圆抛光方法、装置、设备及存储介质制造方法及图纸

技术编号:43065983 阅读:25 留言:0更新日期:2024-10-22 14:43
本发明专利技术实施例公开了一种晶圆抛光方法、装置、设备及存储介质,本发明专利技术实施例能够准确地监测磨轮的磨损情况,且操作过程简单快速,无需其它昂贵的专业测量仪器,减少了对专业设备和操作人员的依赖,降低了操作复杂性和测量成本,减少了由于测量和计算过程繁琐导致的时间浪费,解决了现有技术中对磨轮的磨损情况进行检测的过程中存在着准确率低以及耗时长的技术问题。

【技术实现步骤摘要】

本申请实施例涉及自动化领域,尤其涉及一种晶圆抛光方法、装置、设备及存储介质


技术介绍

1、晶圆抛光是半导体制造过程中的一个关键步骤。在晶圆抛光的过程中,需要磨轮去除晶圆表面的不规则形状和缺陷,但由于磨轮在抛光过程中会不断磨损,其表面质量和磨削能力会逐渐下降,进而影响抛光效果。因此,准确测量磨轮的磨损程度是保证晶圆抛光质量的基础。

2、然而,传统测量磨轮的磨损程度的方法难以准确捕捉磨轮表面的微小变化,导致磨损程度的测量结果不精确,同时还存在着操作复杂导致磨损程度的测量效率低下的问题。


技术实现思路

1、本专利技术实施例提供了一种晶圆抛光方法、装置、设备及存储介质,解决了现有技术中对磨轮的磨损情况进行检测的过程中存在着准确率低以及耗时长的技术问题。

2、第一方面,本专利技术实施例提供了一种晶圆抛光方法,所述方法适用于晶圆抛光设备,所述晶圆抛光设备包括磨轮传动轴、磨轮以及晶圆抛光平台;所述磨轮传动轴用于带动所述磨轮上下移动和水平移动;所述晶圆抛光平台用于放置晶圆;所述磨轮与其研磨面相背的一本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种晶圆抛光方法,所述方法适用于晶圆抛光设备,所述晶圆抛光设备包括磨轮传动轴、磨轮以及晶圆抛光平台;所述磨轮传动轴用于带动所述磨轮上下移动和水平移动;所述晶圆抛光平台用于放置晶圆;其特征在于,所述磨轮与其研磨面相背的一面上设置有至少一个压力传感器,所述晶圆抛光方法包括:

2.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法,其特征在于,所述根据所述第一晶圆厚度、所述第一距离、所述第二晶圆厚度以及所述第二距离,确定所述上一个抛光周期中所述磨轮的磨损量,包括:

3.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法,其特征在于,所述晶圆抛光设备还包括有磨刀平台,所述磨刀平台上设置有磨刀石;所述在进...

【技术特征摘要】

1.一种晶圆抛光方法,所述方法适用于晶圆抛光设备,所述晶圆抛光设备包括磨轮传动轴、磨轮以及晶圆抛光平台;所述磨轮传动轴用于带动所述磨轮上下移动和水平移动;所述晶圆抛光平台用于放置晶圆;其特征在于,所述磨轮与其研磨面相背的一面上设置有至少一个压力传感器,所述晶圆抛光方法包括:

2.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法,其特征在于,所述根据所述第一晶圆厚度、所述第一距离、所述第二晶圆厚度以及所述第二距离,确定所述上一个抛光周期中所述磨轮的磨损量,包括:

3.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法,其特征在于,所述晶圆抛光设备还包括有磨刀平台,所述磨刀平台上设置有磨刀石;所述在进入新的抛光周期后,在控制所述磨轮传动轴将所述磨轮向所述晶圆抛光平台下降,以使所述磨轮的研磨面与所述待抛光晶圆相接触之前,还包括:

4.根据权利要求3所述的晶圆抛光方法,其特征在于,在进入第一个所述抛光周期后,且在所述磨轮自抛光之前,还包括:

5.根据权利要求1所述的晶圆抛光方法,其特征在于,所述控制所述磨轮传动轴将所述磨轮从基准位置向所述晶圆抛光平台下降,以使所述磨轮的研磨面与所述待...

【专利技术属性】
技术研发人员:何江玲黄嘉陈万群盛存国王正根
申请(专利权)人:迈为技术珠海有限公司
类型:发明
国别省市:

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