芯片封装结构制造技术

本技术公开了一种芯片封装结构，包括芯片，盖板，胶水键合层以及环形凸块。芯片具有第一表面，第一表面具有功能区以及第一键合区，第一键合区围绕功能区设置。盖板设置于芯片的第一表面上，盖板具有与第一键合区相键合的第二键合区。胶水键合层设置于第一键合区和第二键合区之间。以及，环形凸块设置于第一键合区和/或第二键合区上且位于胶水键合层内，功能区位于环形凸块内。本技术的芯片封装结构，通过在盖板和芯片键合的区域的胶水键合层内设置环形凸起，可以延缓气体分子渗透至芯片功能区所在区域，提升芯片封装结构的气密性能，提升芯片封装结构的可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本技术属于芯片封装，具体涉及一种芯片封装结构。

技术介绍

1、晶圆级的气密性键合一般采用无介质键合、金属介质键合或者聚合物键合的方式。其中，无介质键合，例如硅-硅、氧化硅-氧化硅或者阳极键合等，都对所需键合的两片晶圆有极高的平整度、洁净度要求，因此需要昂贵的前处理工序和键合设备来保证键合效果。金属键合，例如铝锗或者金金、金锡等等，均需要所需键合的两片晶圆表面有纳米级的平整度，并在两片晶圆的平整表面预置用于键合的两种金属，键合前处理复杂且键合所需温度高、所需压力大。而聚合物键合，虽然其成本低，对晶圆表面平整度要求低，可填充晶圆表面一些凹凸形貌，然而因为聚合物本身的高分子组分难以隔绝小分子的渗透，容易导致其所形成的空腔气密性差。

2、图1和图2为两种聚合物键合后的芯片封装结构。请参考图1所示，芯片封装结构包括芯片1，盖板2以及设置于芯片1和盖板2之间的围堰3以及胶水键合层4。因围堰3，胶水键合层4都为聚合物，因而导致其围成的空腔气密性差，其中，箭头示意气体的渗透路径，图1为从外向内渗透，当然亦可从内向外渗透。请参考图2所示，芯片封装结构包括芯片1’本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述环形凸块的高度不高于所述胶水键合层的厚度。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述环形凸块的宽度不大于所述胶水键合层的宽度。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述环形凸块选自金属凸块。

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述环形凸块的数量为一圈，所述环形凸块设置于所述第一键合区上，所述环形凸块与所述第二键合区之间形成有间隙，所述间隙内填充有胶水。

6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，...

【技术特征摘要】

1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述环形凸块的高度不高于所述胶水键合层的厚度。

3.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述环形凸块的宽度不大于所述胶水键合层的宽度。

4.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述环形凸块选自金属凸块。

5.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述环形凸块的数量为一圈，所述环形凸块设置于所述第一键合区上，所述环形凸块与所述第二键合区之间形成有间隙，所述间隙内填充有胶水。

6.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于，所述环形凸块的数量为一圈，所述环形凸块设置于所述第二键合区上，所述环形凸块与所述第一键合区之间形成有间隙，所述间隙内填充有胶水。

7.根据权利要求1所述的芯片封装结构，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：李俊杰，
申请(专利权)人：苏州思萃车规半导体产业技术研究所有限公司，
类型：新型
国别省市：