光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法技术

技术编号:43047595 阅读:14 留言:0更新日期:2024-10-22 14:31
本申请提供了一种光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法,光致抗蚀剂包括成膜树脂、光致酸产生剂、添加剂和溶剂,所述添加剂包括抗老化剂;所述抗老化剂包括结构式为的化合物,其中,R<supgt;1</supgt;、R<supgt;2</supgt;、R<supgt;3</supgt;和R<supgt;4</supgt;独立地选自氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、‑(C=O)‑R<supgt;5</supgt;或‑(C=O)O‑R<supgt;6</supgt;。本申请提供的光致抗蚀剂包含具有环氧结构的抗老化剂,有利于抑制光致抗蚀剂的老化反应,提高光致抗蚀剂的稳定性,延长光致抗蚀剂的储存周期。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制备领域,具体涉及光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法


技术介绍

1、随着半导体技术的不断发展,业界对光致抗蚀剂的性能要求越来越高。相关技术中,由于原材料等原因,光致抗蚀剂出厂时会存在少量的残留酸,易导致光致抗蚀剂发生老化,降低了光致抗蚀剂的稳定性、缩短了光致抗蚀剂的储存周期,不利于光致抗蚀剂的工业化应用。因此,需要一种抗老化、稳定性高以及储存周期长的光致抗蚀剂。


技术实现思路

1、鉴于此,本申请提供了一种光致抗蚀剂、图案化薄膜、图案化基底、半导体器件及其制备方法,该光致抗蚀剂中含有抗老化剂,抗老化剂可以与光致抗蚀剂中的残留酸发生反应,减缓老化进程,提高光致抗蚀剂的稳定性,延长光致抗蚀剂的储存周期。

2、第一方面,本申请提供了一种光致抗蚀剂,所述光致抗蚀剂包括成膜树脂、光致酸产生剂、添加剂和溶剂,所述添加剂包括抗老化剂;

3、所述抗老化剂包括结构式为的化合物,其中,r1、r2、r3和r4独立地选自氢原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种光致抗蚀剂,其特征在于,所述光致抗蚀剂包括成膜树脂、光致酸产生剂、添加剂和溶剂,所述添加剂包括抗老化剂;

2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂,其特征在于,所述R1和所述R2中至少一者,和/或所述R3和所述R4中至少一者选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、-(C=O)-R5或-(C=O)O-R6。

3.如权利要求1所述的光致抗蚀剂,其特征在于,所述取代或未取代的烷基、所述取代或未取代的烯基、所述取代或未取代的炔基、所述取代或未取代的环烷基、所述取代或未取代的烷氧基、所述-(C=O)-R5和...

【技术特征摘要】

1.一种光致抗蚀剂,其特征在于,所述光致抗蚀剂包括成膜树脂、光致酸产生剂、添加剂和溶剂,所述添加剂包括抗老化剂;

2.如权利要求1所述的光致抗蚀剂,其特征在于,所述r1和所述r2中至少一者,和/或所述r3和所述r4中至少一者选自取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、-(c=o)-r5或-(c=o)o-r6。

3.如权利要求1所述的光致抗蚀剂,其特征在于,所述取代或未取代的烷基、所述取代或未取代的烯基、所述取代或未取代的炔基、所述取代或未取代的环烷基、所述取代或未取代的烷氧基、所述-(c=o)-r5和所述-(c=o)o-r6的碳原子数为1-15。

4.如权利要求1所述的光致抗蚀剂,其特征在于,所述取代的烷基、所述取代的烯基、所述取代的炔基、所述取代的环烷基、所述取代的烷氧基中的取代基包括卤素原子、羟基、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烯基、取代或未取代的炔基、取代或未取代的环烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基和取代或未取代的芳氧基中的一种或多种。

5.如权利要求1所述的光致抗蚀剂,其特征在于,所述抗老化剂包括、、、、、、和中的一种或多种;

6.如权利要求1所述的光致抗蚀剂,其特征在于,所述光致抗蚀剂中,所述抗老化剂的质量百...

【专利技术属性】
技术研发人员:请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名请求不公布姓名
申请(专利权)人:珠海基石科技有限公司
类型:发明
国别省市:

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