【技术实现步骤摘要】
本技术属于pecvd，具体涉及用于提升pecvd镀膜均匀性装置。
技术介绍
1、pecvd技术是利用等离子体放电产生带电粒子、自由基、活性基团等物质在产品表面发生化学反应沉积薄膜的技术。因为等离子体激发了反应气体分子的活性，使沉积薄膜工艺的温度变低，而且沉积速率快，所生长薄膜致密性好，缺陷少，工艺重复性好而被广泛应用。
2、针对中国专利公开号为cn211112213u公开的一种pecvd沉积腔限位装置，该pecvd沉积腔限位装置，通过将产品放入压板的下方，同时，向下压动连接柱，促使卡块移动出顶端卡槽的内腔，并带动压板向下移动与产品贴合，且卡块与底端的卡槽对应，促使第二弹簧弹出，推动卡块移动至底端卡槽的内腔，将连接柱固定，从而将压板固定，装置可在生产过程中进出炉时避免与炉内其他物体发生碰撞，保证产品的完整度，降低了残次品出现的概率。
3、但是上述技术在使用时，由于产品通过固定机构进行固定，固定机构将产品固定后，产品会在移动机构的作用下进出沉积装置，当移动装置将产品和固定装置推动至沉积装置内时，产品仍然被压板固定在放...
【技术保护点】
1.用于提升PECVD镀膜均匀性装置，包括沉积装置本体，其特征在于，所述沉积装置本体的两侧壁内侧固定连接有一对连接块，一对所述连接块内均开设有第一滑槽，所述第一滑槽内滑动连接有滑块，所述滑块远离第一滑槽的一侧固定连接有放置框，所述放置框的两侧壁之间固定连接有分隔板，所述分隔板上开设有多个通孔，多个所述通孔内均安装有吸嘴，所述沉积装置本体的上侧壁板内安装有第一电极，所述沉积装置本体的下侧壁板上安装有第二电极。
2.根据权利要求1所述的用于提升PECVD镀膜均匀性装置，其特征在于，所述放置框的下侧壁板上设置有安装口，所述分隔板将放置框分隔并通过放置框的两侧壁以...
【技术特征摘要】
1.用于提升pecvd镀膜均匀性装置，包括沉积装置本体，其特征在于，所述沉积装置本体的两侧壁内侧固定连接有一对连接块，一对所述连接块内均开设有第一滑槽，所述第一滑槽内滑动连接有滑块，所述滑块远离第一滑槽的一侧固定连接有放置框，所述放置框的两侧壁之间固定连接有分隔板，所述分隔板上开设有多个通孔，多个所述通孔内均安装有吸嘴，所述沉积装置本体的上侧壁板内安装有第一电极，所述沉积装置本体的下侧壁板上安装有第二电极。
2.根据权利要求1所述的用于提升pecvd镀膜均匀性装置，其特征在于，所述放置框的下侧壁板上设置有安装口，所述分隔板将放置框分隔并通过放置框的两侧壁以及后侧壁板形成有负压腔室。
3.根据权利要求2所述的用于提升pecvd镀膜均匀性装置，其特征在于，所述放置框的前端...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈亚南，
申请(专利权)人：立潮半导体科技江苏无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：
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