【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体，涉及一种具有mgd结构的屏蔽栅沟槽器件及其制作方法。
技术介绍
1、屏蔽栅沟槽(shielded gate trench，简称sgt)结构，是一种先进的mosfet技术，其采用深沟槽工艺在栅电极下方增加了屏蔽电极，与源电极相连，实现屏蔽栅极与漂移区的作用，从而减小了米勒电容和栅电荷，加快了开关速度，降低了开关损耗。
2、在一种制作sgt结构的方法中，控制栅的制备包含以下流程：氧化层刻蚀→淀积多晶硅→刻蚀多晶硅。
3、当前工艺制作的sgt结构的源漏电压vsd较高，一般为0.7～0.8v，且反向恢复时间长，导致电路效率低下。
4、因此，如何提供一种sgt结构及其制作方法，以降低源漏电压vsd，并降低反向恢复电荷qrr与反向恢复时间trr，提高电路效率，成为本领域技术人员亟待解决的一个重要技术问题。
技术实现思路
1、鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种具有mgd结构的屏蔽栅沟槽器件及其制作方法，用于解决现有屏蔽栅沟槽...
【技术保护点】
1.一种具有MGD结构的屏蔽栅沟槽器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的具有MGD结构的屏蔽栅沟槽器件的制作方法，其特征在于，在所述第一沟槽中形成第一屏蔽栅氧化层、第一屏蔽栅多晶硅层与第一隔离层，在所述第二沟槽中形成第二屏蔽栅氧化层、第二屏蔽栅多晶硅层与第二隔离层包括以下步骤：
3.根据权利要求1所述的具有MGD结构的屏蔽栅沟槽器件的制作方法，其特征在于，在所述第一沟槽中形成控制栅氧化层与控制栅多晶硅层，在所述第二沟槽中形成第三屏蔽栅氧化层与第三屏蔽栅多晶硅层包括以下步骤：
4.根据权利要求1所述的具有...
【技术特征摘要】
1.一种具有mgd结构的屏蔽栅沟槽器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
2.根据权利要求1所述的具有mgd结构的屏蔽栅沟槽器件的制作方法，其特征在于，在所述第一沟槽中形成第一屏蔽栅氧化层、第一屏蔽栅多晶硅层与第一隔离层，在所述第二沟槽中形成第二屏蔽栅氧化层、第二屏蔽栅多晶硅层与第二隔离层包括以下步骤：
3.根据权利要求1所述的具有mgd结构的屏蔽栅沟槽器件的制作方法，其特征在于，在所述第一沟槽中形成控制栅氧化层与控制栅多晶硅层，在所述第二沟槽中形成第三屏蔽栅氧化层与第三屏蔽栅多晶硅层包括以下步骤：
4.根据权利要求1所述的具有mgd结构的屏蔽栅沟槽器件的制作方法，其特征在于：一所述屏蔽栅沟槽型晶体管区域中的所述第一沟槽的数量为m，相邻的一所述mos栅控二极管区域中的所述第二沟槽的数量为n，其中，n≥1，m≥n。
5.根据权利要求4所述的具有mgd结构的屏蔽栅沟槽器件的制作方法，其特征在于：m/n≥5。
6.根据权利要求1所述的具有mgd结构的屏蔽栅沟槽器件的制作方法，其特征在...
【专利技术属性】
技术研发人员：董仕达，刘坚，
申请(专利权)人：杭州芯迈半导体技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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