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本发明提供一种具有MGD结构的屏蔽栅沟槽器件及其制作方法，在普通SGT器件中集成了MGD结构，其中，基底所在平面划分有沿预设方向交替设置的屏蔽栅沟槽型晶体管区域与MOS栅控二极管区域，两种区域中分别设有第一沟槽与第二沟槽，MGD结构包括位于...
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