一种亚波长多台阶衍射光学元件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种亚波长多台阶衍射光学元件的制备方法，属于光学元件制备技术领域，包括：S1、在衬底上表面涂正胶a，正胶a上表面涂负胶b；正胶a的临界剂量为D<subgt;a</subgt;，负胶b的临界剂量为D<subgt;b</subgt;，D<subgt;a</subgt;<D<subgt;b</subgt;；正胶a在反转剂量D<subgt;t</subgt;下反转为负胶c，负胶c的临界剂量为D<subgt;c</subgt;，且D<subgt;c</subgt;>D<subgt;t</subgt;>D<subgt;b</subgt;；S2、在需要刻蚀最深台阶的区域曝光剂量为D<subgt;1</subgt;；在需要保留衬底的区域曝光剂量为D<subgt;2</subgt;；其他区域不做曝光处理；D<subgt;a</subgt;<D<subgt;1</subgt;<D<subgt;b</subgt;、D<subgt;2</subgt;>D<subgt;c</subgt;；S3、用负胶显影液去除负胶；S4、用正胶显影液去除正胶；S5、刻蚀，刻蚀时间大于下层正胶a被全部刻蚀所需时间；S6、去除衬底上表面的光刻胶；本发明专利技术更稳定、更精确、加工难度更低且无套刻误差。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于光学元件制备，尤其涉及一种亚波长多台阶衍射光学元件的制备方法。

技术介绍

1、亚波长多台阶衍射光学元件（subwavelength multilevel diffractive opticalelement, smdoe）是通过具有不同高度或折射率的细微多级台阶结构来精确控制光的相位和振幅，从而实现特定光学功能的先进光学元件。这类元件由于其结构小于或接近光的波长，能够显著提升光学系统的衍射效率和性能，应用范围广泛。这类元件在先进成像系统、激光系统、光通讯、传感与检测以及生物光子学等领域发挥重要作用，通过优化光波的调控使得光学系统更加高效、精确，并且易于实现小型化和集成化。

2、现有技术中亚波长的多台阶衍射光学元件的制备方法通常有电子束灰度光刻和电子束套刻两种方法。其中：

3、电子束灰度光刻是利用电子束直接在电子束敏感性光刻胶上曝光，通过调节电子束剂量来实现不同的剂量分布，从而在显影后形成不同高度的台阶结构；此方法精确控制电子束剂量分布非常困难，对剂量控制要求极高，工艺窗口很小；并且需要对整个曝光面进行逐点曝光，工序复杂本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种亚波长多台阶衍射光学元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的亚波长多台阶衍射光学元件的制备方法，其特征在于，在S6中，通过ICP刻蚀方法将光刻胶图形转移到衬底。

3.根据权利要求1所述的亚波长多台阶衍射光学元件的制备方法，其特征在于，所述衬底上表面正胶a的厚度为100～600nm，所述正胶a上表面负胶b的厚度为100～600nm。

4.根据权利要求3所述的亚波长多台阶衍射光学元件的制备方法，其特征在于，所述Da的曝光范围为150至200微库伦每平方厘米，所述Db的曝光范围为600至800微库伦每平方厘米，所述Dt的曝...

【技术特征摘要】

1.一种亚波长多台阶衍射光学元件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.根据权利要求1所述的亚波长多台阶衍射光学元件的制备方法，其特征在于，在s6中，通过icp刻蚀方法将光刻胶图形转移到衬底。

3.根据权利要求1所述的亚波长多台阶衍射光学元件的制备方法，其特征在于，所述衬底上表面正胶a的厚度为100～600nm，所述正...

【专利技术属性】
技术研发人员：曲迪，宋学颖，王磊，王俊，陈景春，
申请(专利权)人：天津华慧芯科技集团有限公司，
类型：发明
国别省市：