【技术实现步骤摘要】
本专利技术例如涉及能够在半导体制造工艺现场非破坏性地测定半导体器件的透射式小角度散射装置(t-saxs：transmission-small angle x-ray scattering)。
技术介绍
1、近年来的半导体器件，为了提高性能，高密度化、多层化、电路图案的复杂化等不断发展。特别地，在三维结构的nand闪存器(3d-nand)中，与容量密度的增大相伴随的多层化不断发展，其结果为，形成纵横尺寸比大的柱状物(直径：几十～几百nm，高度：几个μm)或具有沟道(深槽)的结构。
2、过去，在半导体器件的三维结构的测定中，主要可以利用光尺寸计测(ocd：optical critical dimension)装置，但是，在该装置中发生不能测定上述这样的复杂结构的状况。如果利用扫描式电子显微镜(sem：scanning electron microscope)或透射式电子显微镜(tem：transmission electron microscope)，深度方向的测定也是可能的。但是，由于利用这些电子显微镜进行的测定是破坏测定对象...
【技术保护点】
1.一种透射式小角度散射装置，配备有：装置本体、以及用于覆盖该装置本体的周围的外部框体，其特征在于，
2.如权利要求1所述的透射式小角度散射装置，其特征在于，所述装置本体配备有：
3.如权利要求1所述的透射式小角度散射装置，其特征在于，所述装置本体配备有使所述试样保持部绕χ轴摆动的χ轴摆动机构，利用该χ轴摆动机构改变入射X射线相对于配置在所述试样保持部的试样的光轴角度。
【技术特征摘要】
1.一种透射式小角度散射装置，配备有：装置本体、以及用于覆盖该装置本体的周围的外部框体，其特征在于，
2.如权利要求1所述的透射式小角度散射装置，其特征在于，所述装置本体配备有：
...【专利技术属性】
技术研发人员：松岛直树，尾形洁，吉原正，伊藤义泰，表和彦，本野宽，浅野繁松，洞田克隆，安田千水，
申请(专利权)人：株式会社理学，
类型：发明
国别省市：
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