制造Si BJT的方法及对应的装置制造方法及图纸

公开了一种制造Si BJT装置的方法，所述方法包括：先前加工步骤；在所述Si BJT装置的有源区域上方形成保护性氧化物层；在所述保护性氧化物上沉积介电层和包括SiGe的层堆叠；蚀刻所述介电层和所述包括SiGe的层堆叠，借此将它们从所述Si BJT的所述有源区域移除；跨所述装置沉积多晶硅层和另外的介电层；蚀刻所述多晶硅基极和所述另外的介电层，借此将其从所述有源区域移除；通过所述保护性氧化物层将p型掺杂剂植入到所述有源区域中；蚀刻所述保护性氧化物层，借此将其移除，并在所述介电层下方留下空隙；对所述Si BJT装置进行热处理，借此填充所述多晶硅基极下方的空隙；以及后续加工步骤。还公开了对应的装置。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及硅双极结晶体管及其制造方法。

技术介绍

1、si bjt通常包括直接生长到植入的基极区上的硅基发射极层。在一些常规方法中，已知在先前加工步骤期间在植入的基极区上方包括保护层以便保护基极，且在生长硅基发射极层之前移除此保护层。然而，此类方法通常会增加在同一晶片上或晶片内的同一产品上包括其它类型的装置的工艺流程的复杂性。提供一种与同一晶片上的其它装置的制造直接兼容或较为兼容的方法将是有用的。

技术实现思路

1、根据本公开的第一方面，提供一种si双极结晶体管装置，所述si双极结晶体管装置包括：n型集极区，其外延地生长在硅衬底上；植入的p型基极区，其形成在集极区的顶部区中；介电层，和包括sige的层堆叠，其被形成为非邻近于发射极窗且形成在基极区的一部分上；多晶硅层，其在介电层上方，在介电层和发射极窗之间以及在包括sige的层堆叠和发射极窗之间，所述多晶硅层用于提供与基极区的电接触；介电材料，其为发射极窗加衬且借此限定发射极窗；另外的硅材料，其在发射极窗内且提供n-发射极基极区，且用于提供与n型发射极区的电接本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种制造Si双极结晶体管BJT装置(200)的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护性氧化物层由TEOS形成。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述介电层包括氮化物材料。

4.根据在前的任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述另外的介电层包括氮化物材料。

5.根据权利要求1至3中任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述p型掺杂剂为硼。

6.根据在前的任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述保护性氧化物层具有25nm到150nm范围内的厚度。

7.根...

【技术特征摘要】

1.一种制造si双极结晶体管bjt装置(200)的方法，其特征在于，所述方法包括：

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述保护性氧化物层由teos形成。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述介电层包括氮化物材料。

4.根据在前的任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述另外的介电层包括氮化物材料。

5.根据权利要求1至3中任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述p型掺杂剂为硼。

6.根据在前的任一项权利要求所述的方法，其特征在于，所述保护性氧化物层具有25nm到150nm范围内的厚...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄致凡，约翰内斯·J·T·M·唐克斯，
申请(专利权)人：恩智浦有限公司，
类型：发明
国别省市：