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公开了一种制造Si BJT装置的方法，所述方法包括：先前加工步骤；在所述Si BJT装置的有源区域上方形成保护性氧化物层；在所述保护性氧化物上沉积介电层和包括SiGe的层堆叠；蚀刻所述介电层和所述包括SiGe的层堆叠，借此将它们从所述Si ...
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