【技术实现步骤摘要】
本申请涉及太阳能电池,具体而言,涉及一种太阳能电池及太阳能电池的制备方法。
技术介绍
1、隧穿氧化层钝化接触(tunnel oxide passivating contacts,简称topcon)太阳能电池(简称topcon电池),其重点在背面形成的遂穿层和多晶硅层(poly层)的叠层,该叠层一方面由遂穿氧化硅层提供了化学钝化,另一方面又由多晶硅层提供了场钝化。
2、背面生长的topcon钝化结构,多晶硅层起到了诸多作用,例如:作为容纳磷源的膜层,长波光的吸收等,以及有效地保护了隧穿层。但在生产过程中,产线生长的poly层,往往以较高速率生长,虽然提升了产量,满足了快速生长的需求,但是为了保证场钝化作用的有效进行,往往只考虑了poly层作为容纳磷源的膜层,在磷源掺杂过程中会通入大量氢气,导致氢沉积在膜层上,在后续高温退火中会发生氢逸出,导致爆膜引起poly层起泡异常。并且,poly层在发生起泡异常后,会使膜层表面不均匀,从而影响poly层的场钝化效果,无法兼顾poly层本身场钝化作用和起泡的风险。
>技术实现思路...
【技术保护点】
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其特征在于,
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述半导体基体的材料包括以下至少之一:硅、玻璃、金属基底、聚合物基底、碳纳米管、氧化锌和铜铟镓硒。
5.一种根据权利要求1至4中任意一项所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,形成所述隧穿层的步骤包括:
7.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备
...【技术特征摘要】
1.一种太阳能电池,其特征在于,包括:
2.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池,其特征在于,
4.根据权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述半导体基体的材料包括以下至少之一:硅、玻璃、金属基底、聚合物基底、碳纳米管、氧化锌和铜铟镓硒。
5.一种根据权利要求1至4中任意一项所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,包括:
6.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,形成所述隧穿层的步骤包括:
7.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,在形成所述非晶硅层的步骤之前,所述制备方法还包括:
8.根据权利要求5所述的太阳能电池的制备方法,其特征在于,形成所述非晶硅层的步骤包括:
【专利技术属性】
技术研发人员:陈伟康,马岚岚,任勇,陈德爽,
申请(专利权)人:横店集团东磁股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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