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本发明提供了一种太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池包括半导体基体，具有第一表面；隧穿层，设置在第一表面上；非晶硅层，设置在隧穿层的背离半导体基体的一侧表面上；微晶硅层，设置在非晶硅层背离隧穿层的一侧表面上。在隧穿层外生长非晶硅层，形成具有...
该专利属于横店集团东磁股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过横店集团东磁股份有限公司授权不得商用。

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