半导体组件及其制造方法技术

技术编号:42955237 阅读:34 留言:0更新日期:2024-10-11 16:12
本发明专利技术涉及一种半导体组件,其包含基板、非极性晶向缓冲层以及第一氮化物层,其中该非极性晶向缓冲层形成于该基板上,以及该第一氮化物层形成于该非极性晶向缓冲层上。同时本发明专利技术也一并揭露此种半导体组件的制造方法。本发明专利技术所提供的半导体组件利用可在任何基板上成长出非极性晶向缓冲层的磊晶技术,可有效降低制造成本。本发明专利技术可优化磊晶质量,使任何基板上形成非极性晶向缓冲层,如此所形成的半导体组件能有效应用于发光二极管、雷射二极管及高电子迁移率晶体管等组件上。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体组件,尤其涉及一种能运用于发光二极管、雷射二极管、功率半导体、高电子迁移率晶体管的半导体组件及其制造方法


技术介绍

1、氮化铝镓(algan)为氮化铝与氮化镓的合金,其具有直接且连续可调的宽带隙(3.4ev至6.2ev)、热稳定与化学稳定性。algan可用于制造紫外光/蓝色光发光二极管,而紫外光波长可低至250nm(远紫外光)。此外,algan也可用于紫外光发光二极管(light-emitting diode,led)、光检测器与高电子移动率晶体管(high-electron-mobilitytransistor,hemt)。因此,algan于半导体产业具有极大的应用前景。

2、目前在实务面上algan缺乏同质连接(homojunction)基板,故影响其所制成的电子组件效率。目前业界使用蓝宝石来作为algan成长的基板,但由于蓝宝石天生的缺陷,如:异常坚硬、不导电、低导热、高成本等,因此局限住蓝宝石基板于氮化铝镓所制成的电子组件的发展。相对于蓝宝石,硅基板具有大尺寸、低价格、优异导电等特性,为较能实现algan所制成本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体组件,其特征在于,包含:

2.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于,更包括:

3.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于,该非极性晶向缓冲层为非极性氮化铝缓冲层、以氮化铝成分为主的非极性3元系或4元系的氮化铝基化合物缓冲层、非极性氧化锌缓冲层或以氧化锌成分为主的非极性3元系或4元系的氧化锌基化合物缓冲层。

4.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于,该基板包含硅基板、硅蓝宝石基板、碳化硅基板、石英基板或耐高温基板,而该耐高温基板是能够承受1000℃以上的高温制程的基板。

5.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征...

【技术特征摘要】

1.一种半导体组件,其特征在于,包含:

2.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于,更包括:

3.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于,该非极性晶向缓冲层为非极性氮化铝缓冲层、以氮化铝成分为主的非极性3元系或4元系的氮化铝基化合物缓冲层、非极性氧化锌缓冲层或以氧化锌成分为主的非极性3元系或4元系的氧化锌基化合物缓冲层。

4.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于,该基板包含硅基板、硅蓝宝石基板、碳化硅基板、石英基板或耐高温基板,而该耐高温基板是能够承受1000℃以上的高温制程的基板。

5.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于,该第一氮化物层、该第二氮化物层以及该第三氮化物层为第三族氮化物,且该第三族氮化物的材料选自gan及algan所组成族群之一或其组合。

6.根据权利要求1至5中任一项...

【专利技术属性】
技术研发人员:郭裕铭
申请(专利权)人:宸明科技股份有限公司
类型:发明
国别省市:

相关技术
    暂无相关专利
网友询问留言 已有0条评论
  • 还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。

1