【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种半导体组件,尤其涉及一种能运用于发光二极管、雷射二极管、功率半导体、高电子迁移率晶体管的半导体组件及其制造方法。
技术介绍
1、氮化铝镓(algan)为氮化铝与氮化镓的合金,其具有直接且连续可调的宽带隙(3.4ev至6.2ev)、热稳定与化学稳定性。algan可用于制造紫外光/蓝色光发光二极管,而紫外光波长可低至250nm(远紫外光)。此外,algan也可用于紫外光发光二极管(light-emitting diode,led)、光检测器与高电子移动率晶体管(high-electron-mobilitytransistor,hemt)。因此,algan于半导体产业具有极大的应用前景。
2、目前在实务面上algan缺乏同质连接(homojunction)基板,故影响其所制成的电子组件效率。目前业界使用蓝宝石来作为algan成长的基板,但由于蓝宝石天生的缺陷,如:异常坚硬、不导电、低导热、高成本等,因此局限住蓝宝石基板于氮化铝镓所制成的电子组件的发展。相对于蓝宝石,硅基板具有大尺寸、低价格、优异导电等特性,为较能
...【技术保护点】
1.一种半导体组件,其特征在于,包含:
2.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于,更包括:
3.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于,该非极性晶向缓冲层为非极性氮化铝缓冲层、以氮化铝成分为主的非极性3元系或4元系的氮化铝基化合物缓冲层、非极性氧化锌缓冲层或以氧化锌成分为主的非极性3元系或4元系的氧化锌基化合物缓冲层。
4.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于,该基板包含硅基板、硅蓝宝石基板、碳化硅基板、石英基板或耐高温基板,而该耐高温基板是能够承受1000℃以上的高温制程的基板。
5.根据权利要求1所述
...【技术特征摘要】
1.一种半导体组件,其特征在于,包含:
2.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于,更包括:
3.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于,该非极性晶向缓冲层为非极性氮化铝缓冲层、以氮化铝成分为主的非极性3元系或4元系的氮化铝基化合物缓冲层、非极性氧化锌缓冲层或以氧化锌成分为主的非极性3元系或4元系的氧化锌基化合物缓冲层。
4.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于,该基板包含硅基板、硅蓝宝石基板、碳化硅基板、石英基板或耐高温基板,而该耐高温基板是能够承受1000℃以上的高温制程的基板。
5.根据权利要求1所述的半导体组件,其特征在于,该第一氮化物层、该第二氮化物层以及该第三氮化物层为第三族氮化物,且该第三族氮化物的材料选自gan及algan所组成族群之一或其组合。
6.根据权利要求1至5中任一项...
【专利技术属性】
技术研发人员:郭裕铭,
申请(专利权)人:宸明科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:
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