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本发明涉及一种半导体组件，其包含基板、非极性晶向缓冲层以及第一氮化物层，其中该非极性晶向缓冲层形成于该基板上，以及该第一氮化物层形成于该非极性晶向缓冲层上。同时本发明也一并揭露此种半导体组件的制造方法。本发明所提供的半导体组件利用可在任何基...
该专利属于宸明科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过宸明科技股份有限公司授权不得商用。

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