一种硅桥嵌入的扇出封装结构及其封装方法技术

本发明专利技术涉及一种硅桥嵌入的扇出封装结构及其封装方法。本发明专利技术包括装片层；若干个芯粒，设置于装片层表面，各芯粒表面设置有第一金属凸块和第二金属凸块，第二金属凸块的高度高于第一金属凸块的高度；硅桥芯片，各硅桥芯片的芯片布线的焊盘表面设置有微凸点，单个硅桥芯片通过微凸点与至少两个芯粒各自的第一金属凸块倒装焊接；底填和塑封，覆盖于多个芯粒和硅桥芯片上并填充于多个芯粒之间以及芯粒和硅桥芯片之间的间隙，且其底填和塑封顶面与第二金属凸块表面齐平；再布线，设置于底填和塑封顶面且与第二金属凸块接触，再布线接触有植球焊盘，植球焊盘接触有焊球。本发明专利技术提升了硅桥埋入扇出封装的互连密度、信号传输性能、互连可靠性。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体封装，尤其是指一种硅桥嵌入的扇出封装结构及其封装方法。

技术介绍

1、高性能计算、人工智能、5g通信和云计算的快速发展使芯片制程节点持续演进，短沟道效应以及量子隧穿效应带来的发热、漏电问题愈发严重，设计及制造成本不断上升，追求经济效能的摩尔定律日趋放缓。chiplet（芯片模块化）技术应运而生，将单颗复杂片上系统级芯片（soc）离散成多颗特定功能的小芯片，通过系统级集成封装技术整合在一起构成多功能的异构系统级封装，以提高器件算力，缩短产品开发周期，提升产品良率，降低系统成本，实现更高的可扩展性和灵活性。行业内最早的chiplet技术为台积电推出的cowos（chip on wafer on substrate）封装技术，cowos的出现有效解决了多芯片间高密度、短距离的互连问题，但也大大提高了封装集成工艺成本。为解决硅转接板带来的成本问题，桥接技术出现在了大众视野中。首先，目前芯粒异构集成需求中，芯粒间高密度互连涉及的信号区域通常为很小的局域的范围，没有必要在整个基板或者转接板上开发精细化布线技术。其次，通过桥接互连能满足互连密度需求，本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种硅桥嵌入的扇出封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种硅桥嵌入的扇出封装结构，其特征在于，所述装片层为装片膜或装片胶。

3.根据权利要求1所述的一种硅桥嵌入的扇出封装结构，其特征在于，相邻两个所述芯粒（101）之间的间距大于50μm。

4.根据权利要求1所述的一种硅桥嵌入的扇出封装结构，其特征在于，所述第二金属凸块（103）与所述硅桥芯片（202）背面之间的高度差大于20μm。

5.根据权利要求1所述的一种硅桥嵌入的扇出封装结构，其特征在于，所述第一金属凸块（102）和/或所述第二金属凸块（103）的材料包括Cu、...

【技术特征摘要】

1.一种硅桥嵌入的扇出封装结构，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的一种硅桥嵌入的扇出封装结构，其特征在于，所述装片层为装片膜或装片胶。

3.根据权利要求1所述的一种硅桥嵌入的扇出封装结构，其特征在于，相邻两个所述芯粒（101）之间的间距大于50μm。

4.根据权利要求1所述的一种硅桥嵌入的扇出封装结构，其特征在于，所述第二金属凸块（103）与所述硅桥芯片（202）背面之间的高度差大于20μm。

5.根据权利要求1所述的一种硅桥嵌入的扇出封装结构，其特征在于，所述第一金属凸块（102）和/或所述第二金属凸块（103）的材料包括cu、cusn、cunisn或cunisnag。

6.一种硅桥嵌入的扇出封装方法，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：张爱兵，李轶楠，姚昕，
申请(专利权)人：无锡中微高科电子有限公司，
类型：发明
国别省市：