半导体器件及其制备方法技术

本申请提供一种半导体器件及其制备方法，在制备方法中，在晶圆表面淀积整层浮栅材料层之后，仅去除非高压CMOS器件区的浮栅材料层，保留高压CMOS器件区的浮栅材料层，使得高压CMOS器件区的最终栅极为浮栅材料层和多晶硅材料层的叠加，增加了高压CMOS器件区栅极的厚度，可在不增加成本/不增加光罩的情况下，不打穿(损伤)栅极，又可以直接、有效地增加器件的LDD注入更大的能量，尤其是高压器件区的LDD注入更大的能量，形成更好的呈梯度变化的掺杂结，从而改善结的特性，保证先进制程中浮栅闪存工艺中高压CMOS器件区的BV不受影响，提高器件整体的BV(击穿电压)，提高器件的抗高压击穿性能，提高产品的竞争力。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及半导体制造，具体涉及一种半导体器件及其制备方法。

技术介绍

1、为了在单位面积内集成更多的门电路，工艺制程越来越先进，先进制程中的一个特点是栅极材料(例如多晶硅材料)越来越薄，栅极材料的厚度限制了高压cmos(例如5vcmos)自对准注入ldd(轻掺杂漏区)的最大能量，从而限制了器件的击穿电压(breakdownvoltage，bv)，因为通常情况下，ldd注入能量越大，bv越高。

2、在开发5v cmos的时候，为了形成更加缓变的ldd结，提高器件的bv，ldd注入通常采用尽可能大的能量和最大的离子注入倾斜角度(45°)倾斜注入。传统的自对准ldd注入时，栅极材料也会直接面对ldd注入，为了避免ldd进入沟道，ldd能量被栅极材料厚度限制，这又与先进制程中低压cmos器件的栅极材料越来越薄的需求相悖。但是在很多应用中，受栅极材料厚度限制，对先进制程节点高压cmos(例如5v cmos)器件的bv的要求却没有降低。

技术实现思路

1、本申请提供了一种半导体器件及其制备方法，可以解决先进制本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述浮栅材料层的厚度为

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述多晶硅材料层的厚度为

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在通过离子注入工艺分别在所述闪存器件区的衬底中形成闪存阱区，以及在所述高压CMOS器件区的衬底中形成高压阱区的过程中，

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在通过选择性离子注入工艺，分别在所述闪存阱区中形成第一轻掺杂漏区以及在所述高压阱区中形成第二轻...

【技术特征摘要】

1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：

2.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述浮栅材料层的厚度为

3.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述多晶硅材料层的厚度为

4.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在通过离子注入工艺分别在所述闪存器件区的衬底中形成闪存阱区，以及在所述高压cmos器件区的衬底中形成高压阱区的过程中，

5.根据权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在通过选择性离子注入工艺，分别在所述闪存阱区中形成第一轻掺杂漏区以及在所述高压阱区中形成第二轻掺杂漏区的...

【专利技术属性】
技术研发人员：许昭昭，房子荃，刘冬华，
申请(专利权)人：华虹半导体无锡有限公司，
类型：发明
国别省市：