【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体，具体涉及一种电感器及其形成方法。
技术介绍
1、电感器(inductor)是能够把电能转化为磁能而存储起来的元件，其被广泛应用于射频电路器件中。
2、品质因数q是表征电感器工作效率的一个重要物理量，它是指电感器在某一频率的交流电压下工作时，所呈现的感抗与其等效损耗电阻之比。电感器的品质因数q越高，其损耗越小，效率越高。
3、电感器的基本组成部分通常包括线圈、屏蔽罩等。其中，屏蔽罩用于屏蔽电感器在工作时产生的磁场、电场等，从而避免其他电路器件受到影响，并且减小电感器的能量损耗。
4、然而，在现有技术下，电感器的能量损耗仍然较大，品质因数q仍有很大的提升空间。
技术实现思路
1、本专利技术解决的技术问题是，提供一种电感器及其形成方法，减小了电感器的能量损耗，提升了电感器的品质因数q。
2、为解决上述技术问题，本专利技术的技术方案提供一种电感器，包括:衬底，所述衬底包括工作区；位于所述工作区内的掺杂层，所述掺杂层的表面图形为中...
【技术保护点】
1.一种电感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电感器，其特征在于，所述第一屏蔽结构在所述衬底表面的投影与所述掺杂层在衬底表面的投影图形没有重叠。
3.如权利要求1所述的电感器，其特征在于，所述掺杂层包括若干枝杈结构以及将各枝杈结构相互连接的互连结构；各枝杈结构包括互相垂直的第一子结构和第二子结构，所述第一子结构与第二子结构相互接触。
4.如权利要求3所述的电感器，其特征在于，所述第一屏蔽结构包括若干分立的子屏蔽层，各子屏蔽层在所述衬底表面的投影图形位于相邻枝杈结构之间。
5.如权利要求3所述的电感器，其特征在...
【技术特征摘要】
1.一种电感器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的电感器，其特征在于，所述第一屏蔽结构在所述衬底表面的投影与所述掺杂层在衬底表面的投影图形没有重叠。
3.如权利要求1所述的电感器，其特征在于，所述掺杂层包括若干枝杈结构以及将各枝杈结构相互连接的互连结构；各枝杈结构包括互相垂直的第一子结构和第二子结构，所述第一子结构与第二子结构相互接触。
4.如权利要求3所述的电感器，其特征在于，所述第一屏蔽结构包括若干分立的子屏蔽层，各子屏蔽层在所述衬底表面的投影图形位于相邻枝杈结构之间。
5.如权利要求3所述的电感器，其特征在于，所述第一子结构的宽度范围为2微米～4微米；所述第二子结构的宽度范围为2微米～4微米。
6.如权利要求4所述的电感器，其特征在于，所述子屏蔽层的宽度范围为2微米～4微米。
7.如权利要求1所述的电感器，其特征在于，所述第一屏蔽结构在所述衬底表面的投影图形与...
【专利技术属性】
技术研发人员：黄曦，王晓东，王西宁，钱蔚宏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，
类型：发明
国别省市：
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