一种集成肖特基二极管的碳化硅VDMOS的制备方法技术

本发明专利技术提供了一种集成肖特基二极管的碳化硅VDMOS的制备方法，在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底外延生长形成漂移层；通过向漂移层离子注入，在漂移层内形成均流层、掩蔽层、阱区以及源区；形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，之后刻蚀漂移层，刻蚀漂移层采用湿式化学溶液刻蚀，刻蚀后进行干氧氧化形成栅介质层；淀积金属，形成栅极金属层；金属淀积，形成第一金属层和第二金属层，源极金属层包括第一金属层以及第二金属层，构建了掩蔽层，抑制在栅极拐角处存在的电场集中问题，构建了均流层，均流层横向包裹源极金属层和源区，能在器件未导通时将来自源极金属的电子从肖特基结出均流至器件横向所有区域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种集成肖特基二极管的碳化硅vdmos的制备方法。

技术介绍

1、碳化硅mosfet是碳化硅功率器件的典型代表，在电动汽车、航空航天、电力转换等领域有广泛的应用。器件结构和制备工艺的发展推动器件导通电阻降低和可靠性提高，但是受限于碳化硅材料特性，其生成的二氧化硅栅介质相对硅工艺质量偏低，并且材料的功函数差距对栅介质的绝缘层厚度要求较高，在沟槽栅结构栅极拐角处，容易出现电场集中的情况，导致出现栅极击穿；由于栅极没有覆盖整个p型阱区，随着离栅极距离的增加，器件导通时p型阱区反型减少，所有器件电流集中在栅极两侧，无法实现电流在器件内部的均匀分布，出现电流集中和导通电阻偏大的情况。

技术实现思路

1、本专利技术要解决的技术问题，在于提供一种集成肖特基二极管的碳化硅vdmos的制备方法，构建了掩蔽层，抑制在栅极拐角处存在的电场集中问题，构建了均流层，均流层横向包裹源极金属层和源区，能在器件未导通时将来自源极金属的电子从肖特基结出均流至器件横向所有区域。

2、本专利技术是这样实现的：一种集成肖特本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种集成肖特基二极管的碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种集成肖特基二极管的碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，所述碳化硅衬底的掺杂浓度为5e18cm-3，所述漂移层的掺杂浓度为6e16cm-3，所述均流层的掺杂浓度为6e17cm-3，所述掩蔽层的掺杂浓度为1e18cm-3，所述阱区的掺杂浓度为5e17cm-3，所述源区的掺杂浓度为8e18cm-3。

3.如权利要求1所述的一种集成肖特基二极管的碳化硅VDMOS的制备方法，其特征在于，所述掩蔽层的厚度为300nm。

4.如权利要求1所述的一种集成肖特...

【技术特征摘要】

1.一种集成肖特基二极管的碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.如权利要求1所述的一种集成肖特基二极管的碳化硅vdmos的制备方法，其特征在于，所述碳化硅衬底的掺杂浓度为5e18cm-3，所述漂移层的掺杂浓度为6e16cm-3，所述均流层的掺杂浓度为6e17cm-3，所述掩蔽层的掺杂浓度为1e18cm-3，所述阱区的掺杂浓度为5e17cm-3，所述源区的掺杂浓度为8e18cm-3。

3.如权利要求1所述的一种集成肖特基二极管的碳化硅vdmos的制...

【专利技术属性】
技术研发人员：李昀佶，杨光锐，施广彦，张长沙，
申请(专利权)人：泰科天润半导体科技北京有限公司，
类型：发明
国别省市：