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本发明提供了一种集成肖特基二极管的碳化硅VDMOS的制备方法，在碳化硅衬底的下侧面淀积金属，形成漏极金属层；在碳化硅衬底外延生长形成漂移层；通过向漂移层离子注入，在漂移层内形成均流层、掩蔽层、阱区以及源区；形成阻挡层，刻蚀阻挡层形成通孔，之...
该专利属于泰科天润半导体科技（北京）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过泰科天润半导体科技（北京）有限公司授权不得商用。

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