一种真空环境低温大面积镀铜膜系统及镀铜膜方法技术方案

本申请提供的一种真空环境低温大面积镀铜膜系统及镀铜膜方法，该系统包括依次相邻的进料室、镀膜室和出料室；镀膜室的正下方设有电子枪蒸发系统和送铜丝机构；镀膜室和电子枪蒸发系统之间设有蒸发挡板；进料室、镀膜室以及出料室之间设置有传动系统；这样传动系统在进料室、镀膜室以及出料室处于真空环境时，便可以将镀膜材料从进料室传送至镀膜室，并在蒸发挡板打开的情况下，通过电子枪蒸发系统利用送铜丝机构输送的铜丝对镀膜材料进行镀膜，镀膜完成后，还可以通过传动系统将镀膜材料传送至出料室进行冷却后输出。该过程采用电子束蒸发镀铜技术，提高了沉积速率，降低了设备造价，使用送铜丝机构保证了镀膜的均匀性和长时间连续式稳定镀膜。

【技术实现步骤摘要】

本申请涉及基材镀膜，尤其涉及一种真空环境低温大面积镀铜膜系统及镀铜膜方法。

技术介绍

1、现有的真空环境大面积镀铜主要采用磁控溅射的方式，磁控溅射是指电子在电场e的作用下，在飞向基片的过程中与氩原子发生碰撞，使其电离产生出ar正离子和新的电子；新电子飞向基片，ar离子在电场作用下加速飞向阴极靶，并以高能量轰击靶表面，使靶材发生溅射。

2、目前，采用磁控溅射的方式进行镀膜时，对基材的耐温性要求较高，而不同的基材耐温性能存在一定的差异，因此容易对基材产生高温辐射，进而导致基材产生变形或改变其性能，另外，磁控溅射的单靶沉积速率慢，设备造价高、且生产效率慢。

技术实现思路

1、本申请的目的旨在至少能解决上述的技术缺陷之一，特别是现有技术中采用磁控溅射的方式进行镀膜容易导致基材产生变形或改变其性能，且存在单靶沉积速率慢、设备造价高、生产效率慢的技术缺陷。

2、本申请提供了一种真空环境低温大面积镀铜膜系统，所述系统包括依次相邻的进料室、镀膜室和出料室；

3、所述镀膜室的正下方设有电子枪本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种真空环境低温大面积镀铜膜系统，其特征在于，所述系统包括依次相邻的进料室、镀膜室和出料室；

2.根据权利要求1所述的真空环境低温大面积镀铜膜系统，其特征在于，所述镀膜室内设有修正板，所述修正板位于所述蒸发挡板的上方，用于镀膜时调整镀铜的方向和均匀性。

3.根据权利要求1所述的真空环境低温大面积镀铜膜系统，其特征在于，所述镀膜室内设有温度传感器，所述温度传感器用于监测所述镀膜室的温度。

4.根据权利要求1所述的真空环境低温大面积镀铜膜系统，其特征在于，所述进料室、所述镀膜室以及所述出料室的进出口均设有门阀。

5.根据权利要求1所述的真空...

【技术特征摘要】

1.一种真空环境低温大面积镀铜膜系统，其特征在于，所述系统包括依次相邻的进料室、镀膜室和出料室；

2.根据权利要求1所述的真空环境低温大面积镀铜膜系统，其特征在于，所述镀膜室内设有修正板，所述修正板位于所述蒸发挡板的上方，用于镀膜时调整镀铜的方向和均匀性。

3.根据权利要求1所述的真空环境低温大面积镀铜膜系统，其特征在于，所述镀膜室内设有温度传感器，所述温度传感器用于监测所述镀膜室的温度。

4.根据权利要求1所述的真空环境低温大面积镀铜膜系统，其特征在于，所述进料室、所述镀膜室以及所述出料室的进出口均设有门阀。

5.根据权利要求1所述的真空环境低温大面积镀铜膜系统，其特征在于，所述电子枪蒸发系统设有两套电子枪蒸发源，且两套电子枪蒸发源的源基距为60cm，镀膜合格区域宽1米，均匀性在5%以内。

6.一种真空环境低温大面积镀铜膜方法，应用于权利要求1-5中任一项所述的真空环境低温大面积镀铜膜系统，其特征在于，所述方法包括：

7.根据权利要求6所述的真空环境...

【专利技术属性】
技术研发人员：蔡海军，黄超哲，任鑫鸿，韩正思，黄周师，何坤鹏，
申请(专利权)人：江苏先导微电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：