压力控制方法、装置及半导体工艺设备制造方法及图纸

技术编号:42899323 阅读:20 留言:0更新日期:2024-09-30 15:15
本申请公开了一种压力控制方法、装置及半导体工艺设备。其中,该方法包括:获取反应腔室的设定压力和测量压力;若测量压力和设定压力不一致,则根据测量压力和设定压力确定压力调节阀的运动方向,并控制压力调节阀沿运动方向运动;在压力调节阀的运动过程中,持续获取测量压力,并在测量压力达到设定压力附近的设定范围内时,控制压力调节阀停止运动;根据测量压力和设定压力,对压力调节阀进行闭环调节。本申请通过开环调节提前结束或延迟结束,避免了压力滞后或压力提前,使得结束开环调节的时机(或开始闭环调节的时机)相对准确,闭环调节时间较短,进而使得整个压力控制过程响应时间较短,反应腔室内的压力相对稳定,保证了产品的工艺质量。

【技术实现步骤摘要】

本申请属于半导体,尤其涉及一种压力控制方法、装置及半导体工艺设备


技术介绍

1、在半导体制造、光伏等领域,处处存在真空环境,绝大部分工艺都是在反应腔室内进行,反应腔室内的压力大于或小于设定压力都会影响产品的工艺质量,因此必须确保反应腔室内的压力稳定。

2、相关技术中,采用位置压力(pressure to location,简称ptl)策略,对反应腔室内的压力进行控制,具体如下:先进行开环调节,即根据设定压力,控制压力调节阀按照压力位置模板运动到相应开度位置,然后结束开环调节,进行闭环调节,即根据反应腔室内的测量压力和设定压力的差值,对压力调节阀进行闭环调节。但上述方式,在开环调节,若反应腔室内的反应气体流量与压力位置模板对应的流量一致,则结束开环调节时,虽然压力调节阀运动到了相应开度位置,但反应腔室内的压力尚未达到设定压力,存在压力滞后的问题,若反应腔室内的反应气体流量与压力位置模板对应的流量不一致,如果不及时更新压力位置模板,则会存在压力滞后或压力提前(尚未结束开环调节时,压力调节阀尚未运动到相应开度位置,但反应腔室内的压力已经达到设定压力本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种压力控制方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述测量压力和所述设定压力确定压力调节阀的运动方向,包括:

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述根据所述测量压力和所述设定压力确定压力调节阀的运动方向,并控制所述压力调节阀沿所述运动方向运动,包括:

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述设定范围为所述设定压力的设定倍数。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述设定倍数的取值范围为0至0.1。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述测量压力和所...

【技术特征摘要】

1.一种压力控制方法,其特征在于,包括:

2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述测量压力和所述设定压力确定压力调节阀的运动方向,包括:

3.根据权利要求1或2所述的方法,其特征在于,所述根据所述测量压力和所述设定压力确定压力调节阀的运动方向,并控制所述压力调节阀沿所述运动方向运动,包括:

4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述设定范围为所述设定压力的设定倍数。

5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述设定倍数的取值范围为0至0.1。

6.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述测量压力和所述设定压力,对所述压力调节阀进行闭环调节,包括:

7.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述测量压力和所述设定压力,对所述压力调节阀进行闭环调节,包括:

8.根据权...

【专利技术属性】
技术研发人员:郑文宁赵迪董策吴昊曹洋涌
申请(专利权)人:北京华丞电子有限公司
类型:发明
国别省市:

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