【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体制备工艺，尤其涉及一种半导体器件的制备方法。
技术介绍
1、半导体封装是指将晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。现有半导体封装包括引线键合封装和倒装芯片封装等方式。与引线键合封装方式相比，倒装芯片封装方式具有封装密度高，散热性能优良，输入/输出(i/o)端口密度高和可靠性高等优点。
2、较早的倒装芯片封装方式在芯片上设置焊垫，并利用设置在焊垫(包括输入/输出焊垫)上的凸点与封装基板进行焊接，实现芯片封装。随着半导体行业向微型化方向发展，形成于晶圆上芯片的密度越来越大，相应的，晶圆上焊垫和凸点的密度越来越大，凸点的横向宽度以及凸点之间的节距越来越小，制备难度进一步增大，凸点之间的均一性难以得到保证。
技术实现思路
1、本专利技术的目的在于提供一种半导体器件的制备方法，以解决现有的凸点之间的均一性难以得到保证的问题。
2、为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件的制备方法，包括：
3、提供衬底；
4、在所...
【技术保护点】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在每个所述通孔内形成所述焊料层时，还在每个所述通孔内形成金属柱，所述焊料层位于相应的所述金属柱上。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成所述牺牲层之前，还在所述衬底上形成种子层，所述通孔露出所述种子层。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，通过电镀工艺在所述通孔内形成所述金属柱及所述焊料层。
5.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述种子层的材...
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制备方法，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在每个所述通孔内形成所述焊料层时，还在每个所述通孔内形成金属柱，所述焊料层位于相应的所述金属柱上。
3.如权利要求2所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，在所述衬底上形成所述牺牲层之前，还在所述衬底上形成种子层，所述通孔露出所述种子层。
4.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，通过电镀工艺在所述通孔内形成所述金属柱及所述焊料层。
5.如权利要求3所述的半导体器件的制备方法，其特征在于，所述种子层的材料为铜、镍、钛及钨中的至少一种；和/或，所述金属柱的材料为铝、铜、银、金、镍、钨、铬、钽、锌及锰中的至少一种；和/或，所述焊料层的材料...
【专利技术属性】
技术研发人员：徐希锐，
申请(专利权)人：芯联越州集成电路制造绍兴有限公司，
类型：发明
国别省市：
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