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本发明提供了一种半导体器件的制备方法，包括在衬底上形成牺牲层，采用干法刻蚀工艺刻蚀所述牺牲层以形成多个通孔，所述通孔露出所述衬底，在每个所述通孔内至少形成焊料层，释放所述牺牲层，回流所述焊料层，以形成凸点。本发明利用干法刻蚀工艺刻蚀所述牺牲...
该专利属于芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过芯联越州集成电路制造（绍兴）有限公司授权不得商用。

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