具有改进的栅极结构的HEMT器件及其制造过程制造技术

本公开涉及具有改进的栅极结构的HEMT器件及其制造过程。HEMT器件具有本体，该本体包括被配置为生成二维电荷载流子气的异质结构；以及栅极结构，该栅极结构在本体的顶表面上延伸并且能够偏置以电控制二维电荷载流子气。该栅极结构具有半导体材料的沟道调制区；半导体材料的功能区；以及导电材料的栅极接触区。功能区和栅极接触区在沟道调制区的顶表面上延伸，并且栅极接触区相对于功能区侧向布置。沟道调制区相对于功能区具有不同的导电类型。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及一种具有改进的栅极结构的高电子迁移率晶体管(high electronmobility transistor，hemt)器件及其制造过程。

技术介绍

1、hemt器件是已知的，其中导电沟道基于在异质结处(即，在具有不同带隙的半导体材料之间的界面处)形成高迁移率二维电子气(2deg)层。例如，基于氮化铝镓(algan)层和氮化镓(gan)层之间的异质结的hemt器件是已知的。

2、基于algan/gan异质结或异质结构的hemt器件提供了几种优势，使其特别适合并广泛用于不同的应用。例如，利用hemt器件的高击穿阈值来实现高性能功率开关；导电沟道中电子的高迁移率允许提供高频放大器；此外，2deg中电子的高浓度允许获得低的导通状态电阻(ron)。

3、此外，相对于类似的硅ldmos器件，用于射频(rf)应用的hemt器件通常具有更好的rf性能。

4、基于algan/gan异质结的hemt器件通常是耗尽型的，即它们是常导通的(normally-on)。

5、但是，在不同的应用中，需要增强型，即常关断(nor本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种HEMT器件，包括：

2.根据权利要求1所述的HEMT器件，其中所述沟道调制区具有形成所述沟道调制区的侧向侧壁的外围部分，所述功能区至少部分地在所述外围部分上延伸。

3.根据权利要求2所述的HEMT器件，其中所述功能区具有与所述沟道调制区的所述侧向侧壁邻接的外壁。

4.根据权利要求1所述的HEMT器件，其中所述功能区是本征型的。

5.根据权利要求1所述的HEMT器件，其中所述沟道调制区具有第一导电类型，并且所述功能区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。

6.根据权利要求5所述的HEMT器件，其中所述功能区的掺杂物质...

【技术特征摘要】

1.一种hemt器件，包括：

2.根据权利要求1所述的hemt器件，其中所述沟道调制区具有形成所述沟道调制区的侧向侧壁的外围部分，所述功能区至少部分地在所述外围部分上延伸。

3.根据权利要求2所述的hemt器件，其中所述功能区具有与所述沟道调制区的所述侧向侧壁邻接的外壁。

4.根据权利要求1所述的hemt器件，其中所述功能区是本征型的。

5.根据权利要求1所述的hemt器件，其中所述沟道调制区具有第一导电类型，并且所述功能区具有与所述第一导电类型相反的第二导电类型。

6.根据权利要求5所述的hemt器件，其中所述功能区的掺杂物质的浓度低于1015原子/cm3。

7.根据权利要求1所述的hemt器件，其中所述功能区具有与所述第一栅极接触区接触的内壁。

8.根据权利要求1所述的hemt器件，其中所述功能区具有沿着第一方向的宽度，并且第一栅极接触区沿着第一方向的宽度大于所述功能区的宽度。

9.根据权利要求8所述的hemt器件，其中所述第二栅极接触区沿着第一方向的宽度小于所述功能区沿着第一方向的宽度。

10.根据权利要求9所述的hemt器件，其中所述第二栅极接触区的材料选自ti、ta、tin和tan。

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【专利技术属性】
技术研发人员：F·尤科纳洛，A·基尼，M·E·卡斯塔尼亚，A·康斯坦特，C·特林加利，
申请(专利权)人：意法半导体国际公司，
类型：发明
国别省市：