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本公开涉及具有改进的栅极结构的HEMT器件及其制造过程。HEMT器件具有本体，该本体包括被配置为生成二维电荷载流子气的异质结构；以及栅极结构，该栅极结构在本体的顶表面上延伸并且能够偏置以电控制二维电荷载流子气。该栅极结构具有半导体材料的沟道...
该专利属于意法半导体国际公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体国际公司授权不得商用。

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