半导体装置和半导体装置的制造方法制造方法及图纸

提供一种能小型化的半导体装置和半导体装置的制造方法。半导体装置具有：基板；第一氮化物半导体层，设于基板之上；第一金属层，设于第一氮化物半导体层之上；第二金属层，设于第一金属层之上；以及第三金属层，设于第二金属层之上，在基板、第一氮化物半导体层以及第一金属层形成有贯通孔，贯通孔贯通基板、第一氮化物半导体层以及第一金属层，供第二金属层露出，第一金属层与第一氮化物半导体层欧姆接触，第二金属层对使用反应性气体的刻蚀的耐性比第一金属层对使用反应性气体的刻蚀的耐性高，第三金属层的电阻率比第一金属层的电阻率和第二金属层的电阻率低，半导体装置具有第四金属层，第四金属层设于贯通孔的内侧，与第二金属层直接接触。

【技术实现步骤摘要】

本公开涉及半导体装置和半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、已知一种半导体装置，其在基板之上形成有半导体层，在半导体层之上形成有金属层来作为刻蚀停止层，在基板和半导体层形成有到达刻蚀停止层的贯通孔，在基板的下表面形成有通过贯通孔而连接于刻蚀停止层的背面电极。

2、现有技术文献

3、专利文献

4、专利文献1：日本特开2019－145546号公报

5、专利文献2：日本特开2020－17647号公报

6、在现有的半导体装置中，无法使形成为刻蚀停止层的金属层与半导体层欧姆接触，因此设有用于确保欧姆接触的金属层。因此，贯通孔越多，则半导体装置的小型化越困难。

技术实现思路

1、本公开的目的在于提供一种能小型化的半导体装置和半导体装置的制造方法。

2、本公开的半导体装置具有：基板；第一氮化物半导体层，设于所述基板之上；第一金属层，设于所述第一氮化物半导体层之上；第二金属层，设于所述第一金属层之上；以及第三金属层，设于所述第二金属层之上，在所述基板、所本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种半导体装置，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

7.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，

8.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

9.根据权利要求4所述的半导体装置，其中，

10.一种半导体装置，具有：

11.一种半导体装置的制造方法，具有以下工序：<...

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置，具有：

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

4.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

5.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其中，

6.根据权利要求5所...

【专利技术属性】
技术研发人员：堤优也，
申请(专利权)人：住友电工光电子器件创新株式会社，
类型：发明
国别省市：