【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于氮化镓功率器件，具体涉及一种叠层结构的级联氮化镓模块。
技术介绍
1、近年来，氮化镓(gan)器件凭借其高电子迁移率、高开关速度等优点广泛应用于高频、高功率密度电力电子场景。gan共源共栅(cascode)器件与传统硅基mosfet器件的驱动方式兼容，可以直接替换硅基功率器件，展现出更广阔的应用潜力。然而，尽管gan cascode器件性能优异，现有的氮化镓器件单管功率处理能力仍然有限。为此，通过将多个芯片并联，可以大幅提高器件的电流处理能力，进而扩大氮化镓器件在高功率应用中的适用性。
2、然而，在采用多芯片并联的氮化镓级联模块中，耗尽型hemt器件和低压mosfet器件之间的寄生参数匹配是一个关键问题。特别是，要求并联的多个氮化镓芯片具有一致的外部寄生参数，任何寄生参数的不一致都可能导致严重的性能问题，如关断过冲、并联芯片间的不同步关断、电压尖峰和振荡，以及增加的器件损耗，甚至可能导致低压si mosfet的雪崩击穿，进而影响整个模块的性能和可靠性。
技术实现思路
<...【技术保护点】
1.一种叠层结构的级联氮化镓模块，其特征在于，包括：第一基板(100)、第二基板(200)和双面印刷电路板(300)，所述第一基板(100)、所述双面印刷电路板(300)和所述第二基板(200)依次层叠且相对设置；
2.根据权利要求1所述的叠层结构的级联氮化镓模块，其特征在于，所述第一基板(100)表面的焊盘包括第一焊盘(1)、第二焊盘(2)、第三焊盘(3)、第四焊盘(4)、第五焊盘(5)、第六焊盘(6)、第七焊盘(7)、第八焊盘(8)和第九焊盘(9)，其中，
3.根据权利要求2所述的叠层结构的级联氮化镓模块，其特征在于，所述若干上桥臂耗尽型氮...
【技术特征摘要】
1.一种叠层结构的级联氮化镓模块，其特征在于，包括：第一基板(100)、第二基板(200)和双面印刷电路板(300)，所述第一基板(100)、所述双面印刷电路板(300)和所述第二基板(200)依次层叠且相对设置；
2.根据权利要求1所述的叠层结构的级联氮化镓模块，其特征在于，所述第一基板(100)表面的焊盘包括第一焊盘(1)、第二焊盘(2)、第三焊盘(3)、第四焊盘(4)、第五焊盘(5)、第六焊盘(6)、第七焊盘(7)、第八焊盘(8)和第九焊盘(9)，其中，
3.根据权利要求2所述的叠层结构的级联氮化镓模块，其特征在于，所述若干上桥臂耗尽型氮化镓芯片包括第一上桥臂耗尽型氮化镓芯片(120)、第二上桥臂耗尽型氮化镓芯片(130)、第三上桥臂耗尽型氮化镓芯片(140)和第四上桥臂耗尽型氮化镓芯片(150)，其中，
4.根据权利要求2所述的叠层结构的级联氮化镓模块，其特征在于，所述双面印刷电路板(300)第一表面的焊盘包括第十焊盘(10)、第十一焊盘(11)和第十二焊盘(12)，其中，
5.根据权利要求4所述的叠层结构的级联氮化镓模块，其特征在于，所述第一基板(100)和所述双面印刷电路板(300)之间连接有第一连接元件(a1)、第二连接元件(a2)、第三连接元件(a3)、第四连接元件(a4)、第五连接元件...
【专利技术属性】
技术研发人员：江希，吴越，袁嵩，赵园芝，王佳杭，弓小武，胡清荣，
申请(专利权)人：西安电子科技大学，
类型：发明
国别省市：
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