阵列探测器单像素结构制造技术

本技术公开了一种阵列探测器单像素结构，该结构利用单个光电转换单元实现成像，突破了利用二维阵列探测器件的传统成像方式，大大降低了对探测器的要求，同时保证了高光效率和良好的光学性能。该阵列探测器单像素结构采用 InGaAs 材料制成，具有高灵敏度和高光谱响应率，适用于近红外光谱的检测。

【技术实现步骤摘要】

本技术公开了一种阵列探测器单像素结构，该结构集成度高，用于与手机等便携式设备的联用，用于近红外光谱的便携式检测。

技术介绍

1、近红外光谱技术是一种无损检测技术，具有快速、准确、非接触等优点，在食品安全、医疗诊断、工业分析等领域具有广泛的应用。传统的近红外光谱检测设备体积庞大、重量较重，不便于携带和使用。为了实现近红外光谱的便携式检测，需要开发集成度高、体积小巧、性能优异的阵列探测器。

2、阵列探测器是一种将光信号转换为电信号的器件，通常由多个像素点组成，每个像素点对应一个光电转换单元。阵列探测器的类型和性能取决于光电转换单元的材料和结构。目前，常用的阵列探测器有硅基阵列探测器、ingaas阵列探测器、像素阵列探测器等。

3、硅基阵列探测器是一种利用硅材料的光电效应实现光电转换的器件，具有成本低、制造工艺成熟、集成度高等优点，但是其光谱响应范围有限，一般只能覆盖可见光和近红外光的部分波段。

4、ingaas 阵列探测器是一种利用 ingaas 材料的光电效应实现光电转换的器件，具有灵敏度高、光谱响应率高等优点，能够覆盖近本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种阵列探测器单像素结构，其特征在于：该单像素结构为半导体层叠结构，包括：InP衬底（1），用于支撑光电二极管阵列；N-InP层(2)，设置在InP衬底(1)上；InGaAs层(3)，设置在N-InP层(2)上，P-InP层（4）设置在InGaAs层（3）上，用于实现光电二极管阵列的光电转换功能和背照式工作方式；InGaAs欧姆接触层（5），设置在P-InP(4)层上，用于将光电二极管阵列的光电流转换为电流；聚酰亚胺钝化层(6)，设置在InGaAs欧姆接触层(5)上，并包覆InP衬底（1）、N-InP层（2）、InGaAs层（3）、P-InP层（4）以及InGaAs欧姆接触层（5），...

【技术特征摘要】

1.一种阵列探测器单像素结构，其特征在于：该单像素结构为半导体层叠结构，包括：inp衬底（1），用于支撑光电二极管阵列；n-inp层(2)，设置在inp衬底(1)上；ingaas层(3)，设置在n-inp层(2)上，p-inp层（4）设置在ingaas层（3）上，用于实现光电二极管阵列的光电转换功能和背照式工作方式；ingaas欧姆接触层（5），设置在p-inp(4)层上，用于将光电二极管阵列的光电流转换为电流；聚酰亚胺钝化层(6)，设置在ingaas欧姆接触层(5)上，并包覆inp衬底（1）、n-inp层（2）、ingaas层（3）、p-inp层（4）以及ingaas欧姆接触层（5），用于保护阵列探测器单像素结构免受外界环境的干扰；阳极金属电极（7），设...

【专利技术属性】
技术研发人员：王斌，徐晓轩，梁菁，
申请(专利权)人：天津谱芯科技有限公司，
类型：新型
国别省市：