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本技术公开了一种阵列探测器单像素结构，该结构利用单个光电转换单元实现成像，突破了利用二维阵列探测器件的传统成像方式，大大降低了对探测器的要求，同时保证了高光效率和良好的光学性能。该阵列探测器单像素结构采用 InGaAs 材料制成，具有高灵敏...
该专利属于天津谱芯科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天津谱芯科技有限公司授权不得商用。

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