【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及光电器件，具体涉及超表面单光子探测器及其制备方法。
技术介绍
1、单光子探测器是一种高度灵敏的光电探测设备，可用于检测单个光子的存在，具有高灵敏度、低噪声、快速响应时间和良好的时间分辨率。单光子探测器在量子信息、量子光学、天文观测、激光雷达和生物医学成像等领域都有着重要的应用。
2、其中，ingaas单光子探测器是一种专门设计用于探测近红外波段，约800nm-1700nm波段，单个光子的高性能光电探测器，并且由于其材料特性、体积小、成本较低以及易于操作等特性被广泛使用，尤其适合在应用于时间相关单光子计数、量子保密通信、量子计算、激光雷达以及3d传感等领域的应用。描述单光子探测器的性能指标包括探测效率、暗计数率和后脉冲概率等，高性能单光子探测器通常需要满足高探测效率、低暗计数率和低后脉冲概率的特点，这些指标与探测器的结构有关且存在相互制约的关系。常规ingaas单光子探测器芯片采用sagcm面入射结构，增大吸收层的厚度可以提升探测器的探测效率，但暗计数率和后脉冲概率会随之增大，从探测器结构上优化性能往往会牵一发而...
【技术保护点】
1.一种超表面单光子探测器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的超表面单光子探测器，其特征在于，所述外延结构包括在衬底层上依次生长的吸收层、渐变层、电荷层、倍增层和锌扩散结构。
3.如权利要求1所述的超表面单光子探测器，其特征在于，所述超表面结构之间的横向距离为，所述超表面结构之间的纵向距离为，所述超表面结构的高度为。
4.如权利要求3所述的超表面单光子探测器，其特征在于，所述超表面结构之间的横向距离为100-2000nm，所述超表面结构之间的纵向距离为100-2000nm，所述超表面结构的高度为100-2000nm。
...【技术特征摘要】
1.一种超表面单光子探测器，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的超表面单光子探测器，其特征在于，所述外延结构包括在衬底层上依次生长的吸收层、渐变层、电荷层、倍增层和锌扩散结构。
3.如权利要求1所述的超表面单光子探测器，其特征在于，所述超表面结构之间的横向距离为，所述超表面结构之间的纵向距离为，所述超表面结构的高度为。
4.如权利要求3所述的超表面单光子探测器，其特征在于，所述超表面结构之间的横向距离为100-2000nm，所述超表面结构之间的纵向距离为100-2000nm，所述超表面结构的高度为100-2000nm。
5.如所述权利要求4所述的超表面单光子探测器，其特征在于，所述p电极包括依次蒸镀的结构、结构和结构，所述n电极包括依次蒸镀的结构、结构和结构。
6.一种超表面单光子探测器的制备方法，所述制备方...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈文文，衷宇清，凌健文，谢礼伟，刘诗怡，
申请(专利权)人：广东电网有限责任公司广州供电局，
类型：发明
国别省市：
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